[发明专利]一种集成电路IGBT芯片导热硅脂的涂布方法在审
| 申请号： | 201511009214.6 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN106935514A | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 潘文斋 | 申请（专利权）人： | 青岛捷宇达电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/373 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266108 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 igbt 芯片 导热 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种集成电路IGBT芯片导热硅脂的涂布方法，包括以下步骤:(1)IGBT安装前,用酒精将器件的安装面和散热器清洗干净;(2)将导热硅脂倒入容器内,用滚筒刷粘上导热硅脂;(3)在IGBT的安装面反复滚刷上一层导热硅脂,目测硅脂是否涂满IGBT安装面,最后再将IGBT安装在散热器上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
