[发明专利]一种降低静电放电干扰的存储器单元

权利要求书

1.一种降低静电放电干扰的存储器单元，其特征在于，所述存储器单元包括：

第一反相器、第二反相器，所述第一反相器与第二反相器输入输出首尾相连；

位于存储器单元输入端与输出端之间的存储电容，所述存储电容适于在输入端电源电压降低至低于地时和/或输出端地升高至高于电源电压时，减少因静电放电干扰导致的电源和地的扰动毛刺时间，降低静电放电干扰；

所述存储电容的电容设置为释放电荷时间小于电源或地的毛刺时间。

2.根据权利要求1所述的降低静电放电干扰的存储器单元，其特征在于，所述存储电容为无源器件；所述存储电容为MIP电容或MIM电容。

3.根据权利要求2所述的降低静电放电干扰的存储器单元，其特征在于，所述MIM电容为相邻金属层之间的电容。

4.根据权利要求1所述的降低静电放电干扰的存储器单元，其特征在于，所述存储器单元还包括：于输出端窗口的电源和地之间增加第一电源释放通路，和/或于输出端窗口的电源和地之间增加第二电源释放通路。

5.根据权利要求4所述的降低静电放电干扰的存储器单元，其特征在于，所述第一电源释放通路、第二电源释放通路为栅极地NMOS技术，栅极耦合技术，动态栅极电路，栅驱动电路任意一种。

6.根据权利要求4所述的降低静电放电干扰的存储器单元，其特征在于，所述于输入端窗口和/或输出端窗口分别设置第二存储电容、第三存储电容。

7.根据权利要求1所述的降低静电放电干扰的存储器单元，其特征在于，所述存储器单元为：寄存器，触发器。