[发明专利]多功能SIM卡及其制作方法在审
申请号: | 201511011213.5 | 申请日: | 2015-12-30 |
公开(公告)号: | CN105469134A | 公开(公告)日: | 2016-04-06 |
发明(设计)人: | 郑孟仁 | 申请(专利权)人: | 第一美卡科技(苏州)有限公司 |
主分类号: | G06K19/077 | 分类号: | G06K19/077 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多功能 sim 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及SIM卡领域,特别涉及一种多功能SIM卡及其制作方法。
背景技术
2FF卡就是SecondFormFactorSIM卡的简称,就是目前大量使用的传统SIM卡的物理形态,其长2.5厘米,宽1.5厘米,优选厚度为0.8mm,如图1和2中的编号1。SIM卡的卡基由PVC或ABS塑料材料组成,卡基上面是镶有金属薄片的SIM卡接触面,其上有6个或8个管脚。SIM卡接触面下面是晶片,通过金箔丝与管脚相连,不过这在制造好的SIM卡外表看不出来。2FF卡在标准中成为Plug-In卡。
3FF卡ThirdformfactorSIM的简称,在2006年的卡国际标准讨论中,提出了比普通Plug-In卡还要小的SIM卡。就是将2FF卡的长改为1.5厘米,宽改为1.2厘米,厚度不变,如图1和2中的编号2,这就是目前在iphone4中使用的MinSIM卡的i-UICC卡。Apple公司为了提高iphone集成度,减少了SIM卡体积,使用了此卡,显得与其他手机格格不入。由于iphone的足够强大,运营商、手机商都俯首称臣,同时发行了2FF卡和3FF卡。
4FF卡是fourthformfactorSIM的简称。在卡国际标准组织SCP2012年3月会议中,Apple在建议要做标准化4FF卡的项目,是一种比3FF卡更小更薄的SIM卡标准,如图3和4中的编号3,用于下一代iPad。Apple凭借强大的实力和影响力,在2012年7月的标准会议中,让此标准立项成功,从目前标准制定中看,4FF应比Mini-UICC至少面积小25%,优选厚度为0.675mm,此卡包含标准传统SIM卡所有功能。
由于不同的手机对于SIM卡厚度的要求也是不同,普遍的做法是针对不同手机做成不同的卡片厚度。例如针对单纯4FF卡手机,需将卡厚度做成0.675mm。针对2FF卡、3FF卡手机则需要将卡做成0.8mm厚度。这样的制卡方式,卡厂的原材料种类会增加。发卡单位要根据用户手机状况进行卡片定制及发卡。消费者一旦更换手机,也需要再去营业厅换取卡片。
发明内容
发明目的:针对现有技术中存在的问题,本发明提供一种多功能SIM卡及其制作方法,一张本SIM卡片可以同时满足不同手机对卡片不同厚度的要求。
技术方案:本发明提供了一种多功能SIM卡,包括共用同一晶片的2FF卡、3FF卡和4FF卡,所述4FF卡、所述3FF卡、所述2FF卡以及所述SIM卡的卡基由内向外依次桥连,所述晶片封装在所述4FF卡的上表面上。
优选地,所述4FF卡、所述3FF卡和所述2FF卡的上表面齐平。
优选地,所述4FF卡的厚度为0.64~0.68mm,优选0.675mm,所述3FF卡和所述2FF卡的厚度均为0.68~0.84mm,优选0.8mm。
优选地,所述卡基为PVC或ABS塑料材料。
本发明还提供了一种多功能SIM卡的制作方法,包含以下步骤:S1:在所述SIM卡的卡基上表面铣出所述4FF卡的第一铣槽;S2:在所述第一铣槽内部铣出用于封装所述晶片的第二铣槽;
S3:将所述晶片封装在所述第二铣槽内;S4:从所述第一铣槽四周边缘开始由内向外的所述卡基上依次冲切出相互桥连的所述4FF卡、所述3FF卡和所述2FF卡;或者,从所述第一铣槽四周由外向内直至其边缘的所述卡基上依次冲切出相互桥连的所述2FF卡、所述3FF卡和所述4FF卡。
进一步地,在所述S4之后,还包含以下步骤:S5:将所述4FF卡的上表面抬高到与所述2FF卡和所述3FF卡的上表面齐平。
有益效果:本发明中在一个卡基上制作2FF卡、3FF卡和4FF卡,能够分别适用于要求不同SIM卡厚度的手机,在消费者更换手机后,不用更换SIM卡,降低了卡片厂的原材料种类,节约原材料,节省制卡工艺。
附图说明
图1为现有技术中2FF卡和3FF卡的结构示意图;
图2为图1中沿A-A面的剖视图;
图3为现有技术中4FF卡的结构示意图;
图4为图3中沿B-B面的剖视图;
图5为本发明实施方式1中多功能SIM卡的俯视图;
图6为实施方式1中沿图5中C-C面的剖视图;
图7为实施方式2中沿图5中C-C面的剖视图;
图8为本发明实施方式3和4中步骤S1中的示意图;
图9为本发明实施方式3和4中步骤S2中的示意图;
图10为本发明实施方式3和4中步骤S3中的示意图;
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