[发明专利]芯片级封装LED成型方法及芯片级封装LED

权利要求书

1.芯片级封装LED成型方法，其特征在于包括如下步骤：

（1）让封装胶包裹在多个倒装晶片的侧面和顶面上；

（2）提供第二载台，在第二载台上铺设第二隔离膜；将封装胶的顶面固定到第二隔离膜上，让倒装晶片的电极朝上；

（3）在倒装晶片电极的一侧涂光刻胶，在光刻胶上盖掩膜版；

（4）曝光；

（5）显影：通过显影液溶解掉不需要的光刻胶，不需要的光刻胶为与倒装晶片电极对应的溶解区域，溶解区域的面积大于电极的面积；

（6）在溶解区域内蒸镀金属层形成延伸电极；

（7）清洗掉光刻胶；

（8）涂白胶；

（9）将步骤（8）的半成品切割成芯片级封装LED；

（10）将第二载台与第二隔离膜分离；

（11）将第二隔离膜与芯片级封装LED分离；

让封装胶包裹在多个倒装晶片侧面和顶面的步骤包括：

（1a）提供第一载台，所述的第一载台包括载板，载板上具有一个以上的凹陷腔，相邻的凹陷腔之间设有凸台，凹陷腔的侧面为自上向下朝凹陷腔内延伸的斜面；

（2a）在第一载台上铺设第一隔离膜，让第一隔离膜贴附在载板、凹陷腔的底面和凹陷腔的侧面上；

（3a）在第一隔离膜上位于凹陷腔内固定倒装晶片；让倒装晶片的电极与第一隔离膜连接，当倒装晶片固定到第一隔离膜上后，电极位于凹陷腔内，电极的上表面与第一隔离膜的上表面平齐或是低于第一隔离膜的上表面；

（4a）在第一载台上加入封装胶，让封装胶包覆在倒装晶片的侧面和顶面上；

（5a）提供一压板，用压板按压封装胶；让封装胶固化。

2.根据权利要求1所述的芯片级封装LED成型方法，其特征在于：溶解区域的前后两侧与电极的前后两侧对齐，溶解区域的内侧与电极的内侧对齐，溶解区域的外侧凸出电极的外侧。

3.根据权利要求1所述的芯片级封装LED成型方法，其特征在于：在上述步骤（6）中，先在溶解区域内蒸镀钛层，然后在钛层上蒸镀镍层，最后在镍层上蒸镀铜层。

4.根据权利要求1所述的芯片级封装LED成型方法，其特征在于：让封装胶包裹在多个倒装晶片侧面和顶面的步骤包括：

（1b）提供第三载台，在第三载台上铺设第三隔离膜，在第三隔离膜上预先注上封装胶；

（2b）提供第一载台，在第一载台上铺设第一隔离膜，在第一隔离膜上设置一个以上的倒装晶片；

（3b）让倒装晶片逐渐伸入到封装胶内，让封装胶包覆在倒装晶片的侧面和顶面上；控制载板与载胶装置的距离，让封装胶与倒装晶片的电极底面具有间隙；

（4b）待封装胶固化后将封装胶与第三隔离膜分离。

5.根据权利要求1所述的芯片级封装LED成型方法，其特征在于：上述步骤（8）后对白胶和金属层进行研磨，让白胶和金属层在同一平面内。