[发明专利]芯片级封装LED成型方法及芯片级封装LED

说明书

本发明公开了一种芯片级封装LED及成型方法。芯片级封装LED包括倒装晶片，在倒装晶片的侧面和顶面封装有封装胶；倒装晶片包括倒装晶片本体和电极，在电极上设有延伸电极，延伸电极的面积大于电极的面积，在倒装晶片本体的下方设有白胶层。芯片级封装LED成型方法包括：让封装胶包裹在多个倒装晶片上；提供第二载台，在第二载台上铺设第二隔离膜；固定半成品；在倒装晶片涂光刻胶，在光刻胶盖掩膜版；曝光；显影；蒸镀；清洗；涂白胶；切割；分离。本发明组装方便、可靠，提高了电连接的可靠性，有效的防止了锡膏上爬，防止出现短路的现象，提高了反射率，从而提高出光率，简化了成型工艺。

技术领域

本发明涉及芯片级封装LED及其成型方法。

背景技术

LED的传统封装是先将芯片固定到基板上，然后在基板上对芯片实现封装工艺，采用这种封装工艺形成的LED器件，一方面，在封装过程中，芯片可能会出现移动的现象，造成芯片封装的位置精度不高，而且还会影响到芯片与基板的导电性能，另一方面，封装胶的厚度均匀性难以控制，对出光也有一定的影响。对于在同一基板上封装了多个芯片的LED器件，如COB光源等，一旦封装完成，被封装的芯片被确定，假如出现芯片一致性不好或是某些芯片被损坏的现象，则会影响出光的一致性和出光效率以及光色，在这个情况下，如需要更换芯片，操作起来非常的困难。

后来，随着倒装芯片的出现，人们开始研究芯片级封装（CSP）技术。目前，这种封装技术形成的封装级芯片，体积最小、重量轻、电性能好。

现有不带基板的单个CSP的制作工艺是：首先在机台上铺设薄膜，然后在薄膜上放置多个芯片，接着在薄膜上封装荧光胶，并让荧光胶固化，让荧光胶包覆在除底面以外的芯片上，然后将上述成型芯片群切割成单颗的CSP。

芯片级封装结构一般是针对倒装晶片，在固定芯片级封装结构时，利用倒装晶片本身的电极与基板的焊盘电性连接，而由于倒装晶片本身的电极面积小，因此，不方便固定芯片级封装结构，而且电连接性能不可靠；另外，在焊接过程中，由于电极的侧面与倒装晶片本体的侧面基本平齐，因此，锡膏很容易沿着电极上爬到倒装晶片本体上，容易出现短路的现象。再有，当芯片级封装结构固定到基板上后，向下的光基本上由基板进行反射，而目前的基板反射率不高，因此，出光率受到了一定的影响。

发明内容

为了组装方便、可靠，为了提高电连接的可靠性，为了有效的防止锡膏上爬，防止出现短路的现象，为了提高反射率，从而提高出光率，为了简化成型工艺，本发明提供了一种芯片级封装LED成型方法及芯片级封装LED。

为达到上述目的，芯片级封装LED成型方法，包括如下步骤：

（1）让封装胶包裹在多个倒装晶片的侧面和顶面上；

（2）提供第二载台，在第二载台上铺设第二隔离膜；将封装胶的顶面固定到第二隔离膜上，让倒装晶片的电极朝上；

（3）在倒装晶片电极的一侧涂光刻胶，在光刻胶盖掩膜版；

（4）曝光；

（5）显影：通过显影液溶解掉不需要的光刻胶，不需要的光刻胶为倒装晶片电极对应的溶解区域，溶解区域的面积大于电极的面积；

（6）在溶解区域内蒸镀金属层形成延伸电极；

（7）清洗掉光刻胶；

（8）涂白胶；

（9）将步骤（8）的半成品切割成芯片级封装LED；

（10）将第二载台与第二隔离膜分离；

（11）将第二隔离膜与芯片级封装LED分离。