[发明专利]像素结构、阵列基板及像素结构制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种应用于图像显示的像素结构以及具有该像素结构的阵列基板。

背景技术

液晶显示装置由于其具有重量轻、耗电少、辐射低和携带方便等优点而被广泛应用在现代化信息设备，如显示器、电视、移动电话和数字产品等。

就薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）而言，长期以来多以传统非晶硅做为TFT的主要材料，如今已另有一选择，即使用多晶硅取代非晶硅并且有可能成为主流。这主要着眼于不管是电子或空穴的移动速率(mobility)，多晶硅都要比非晶硅提供更佳的移动速率。除此之外，多晶硅TFT还有一个优点是形成LCD面板的驱动电路(包含NMOS晶体管或PMOS晶体管甚至于互补式金氧半晶体管CMOS)可以和像素面板的制造同时进行。由于上述因素，使用多晶硅型TFT的液晶显示器可以提供更佳的切换速率，更具吸引力。

多晶硅型TFT适用于多种液晶显示器，例如面内切换型（In-planeSwitching，IPS）液晶显示器，或者多域垂直配向型（Multi-domainVerticalAlignment，MVA）液晶显示器等。其中，在常见的MVA型液晶显示器中，像素结构包括一TFT和与之电连接的像素电极。该像素电极区具有多个配向区域，每个配向区域分别具有一组彼此配向方向相同的配向狭缝，以有效控制液晶分子的排列。不同配向区域的狭缝的配向方向不同，可使各配向区对应的液晶分子呈现不同的倾倒方向，进而达到增加液晶显示器的广视角范围的目的。

对于采用多晶硅型TFT的MVA液晶显示器而言，多晶硅型TFT的双栅极会占据较多的空间，降低液晶显示器的开口率。并且，多晶硅层的配置可能会影响狭缝间的电力线，使多晶硅层附近的液晶配向紊乱而导致画面产生暗纹。

发明内容

鉴于以上内容，有必要提供一种多晶硅型液晶显示器的像素结构，能够提高开口率和避免画面产生暗纹。

进一步，提供一种包括前述像素结构的阵列基板。

进一步，提供一种制作前述像素结构的方法。

一种像素结构，包括：

多条平行排列且相互绝缘的扫描线；

多条平行排列且相互绝缘的数据线，该多条数据线与该扫描线交叉以限定多个像素，每个像素包括：

一像素电极，该像素电极位于相邻的两条扫描线与相邻的两条数据线构成的区域内；及

一薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括双栅极、源极以及漏极，该双栅极包括第一栅极与第二栅极，该第一栅极至少部分与该数据线重叠并且与该扫描线电性导通，部分扫描线作为该第二栅极，该源极电性连接该数据线，该漏极电性连接该像素电极。

进一步，提供一种包括上述像素结构的阵列基板。

一种如前述像素结构的制作方法，该制作方法包括：

在一第一基板上形成该双栅极、扫描线及覆盖该双栅极的栅极绝缘层；

在该栅极绝缘层上形成一多晶硅层；

掺杂该多晶硅层并形成导电杂质掺杂半导体层；

图案化导电杂质掺杂半导体层，以该双栅极为掩膜，自第一基底远离该双栅极的一侧再次掺杂该导电杂质掺杂半导体层，其中，未被该双栅极遮蔽的导电杂质掺杂半导体层进一步掺杂为导体，被该双栅极遮蔽的导电杂质掺杂半导体层未被掺杂；

形成至少一绝缘材料层，图案化该绝缘材料层并形成多个开口从而形成一层间绝缘层，部分该半导体层自该开口曝露出，在对应该开口位置形成该源极、数据线以及漏极；

在该绝缘材料层形成该像素电极。

相较于现有技术，双栅极中形成栅极通道的两个栅极分别至少部分与扫描线以及数据线重叠，有效降低栅极占用像素电极的显示空间，有效提升了开口率。通过将部分多晶硅层对应设置于像素电极的第一狭缝组和第二狭缝组之间，可避免该多晶硅层引起像素电极的电力线不均从而引起画面产生过多暗纹。

附图说明

图1为本发明一较佳实施例中液晶显示装置的侧面结构示意图。

图2为图1所示液晶显示装置中像素结构的平面结构示意图。

图3为图2所示阵列基板沿II-II线之剖面结构示意图。

图4为制作图1所示像素结构的方法流程图。