[发明专利]存储系统及编程、擦除和读取方法

权利要求书

1.一种存储系统，其特征在于，包括：第一存储器；

所述第一存储器包括：呈P行Q列排布的第一存储单元、P条第一字线、Q条第一位线、Q条第二位线和R条第一源线，P≥1，Q≥1，R≥1；

位于第p行第q列的第一存储单元连接第q条第一位线，P≥p≥1，Q≥q≥1,位于第p+1行第q列的第一存储单元连接第q条第二位线；

所述P行第一存储单元与所述P条第一字线一一对应连接，第s条第一字线和第s+1条第一字线连接在一起，s为奇数，P＞s≥1；

P为偶数时R＝P/2，位于第a行和第a-1行的第一存储单元均连接第a/2条第一源线，P≥a≥2，a为偶数；

P为奇数时R＝(P+1)/2，位于第b行和第b-1行的第一存储单元均连接第b/2条第一源线，P＞b≥2，b为偶数，位于第P行的第一存储单元连接第R条第一源线。

2.如权利要求1所述的存储系统，其特征在于，所述第一存储单元包括：源极、栅极和漏极；

所述栅极连接所述第一字线，所述源极连接所述第一源线，所述漏极连接所述第一位线或第二位线。

3.如权利要求1所述的存储系统，其特征在于，还包括：第二存储器；

所述第二存储器包括：呈M行N列排布的第二存储单元、M条第二字线、N条第三位线和K条第二源线，M≥1，N≥1，K≥1；

所述N列第二存储单元与所述N条第三位线一一对应连接；

所述M行第二存储单元与所述M条第二字线一一对应连接；

M为偶数时K＝M/2，位于第m行和第m-1行的第二存储单元均连接第m/2条第二源线，M≥m≥2，m为偶数；

M为奇数时K＝(M+1)/2，位于第n行和第n-1行的第二存储单元均连接第n/2条第二源线，M＞n≥2，n为偶数，位于第M行的第二存储单元连接第K条第二源线。

4.如权利要求3所述的存储系统，其特征在于，所述第二存储单元包括：源极、栅极和漏极；

所述栅极连接所述第二字线，所述源极连接所述第二源线，所述漏极连接所述第三位线。

5.如权利要求3所述的存储系统，其特征在于，所述第一存储单元和第二存储单元结构相同。

6.如权利要求3所述的存储系统，其特征在于，所述第一存储器还包括：相邻两列第一存储单元之间的第一浅沟槽隔离区，以及用于所述第一存储单元、第一字线、第一位线、第二位线和第一源线之间相互连接的第一接触孔，所述第一接触孔内填充有导电材料；

所述第二存储器还包括：相邻两列第二存储单元之间的第二浅沟槽隔离区，以及用于所述第二存储单元、第二字线、第三位线和第二源线之间相互连接的第二接触孔，所述第二接触孔内填充有导电材料；

所述第一接触孔和第二接触孔的宽度相等；

所述第一位线、第二位线和第三位线的延伸方向相同且宽度相等；

所述第一字线和所述第二字线的延伸方向相同且宽度相等；

所述第一源线和所述第二源线的延伸方向相同且宽度相等；

所述第一浅沟槽隔离区和所述第二浅沟槽隔离区延伸方向相同且宽度相等；

所述第一存储单元的有源区面积大于所述第二存储单元的有源区面积。

7.如权利要求5所述的存储系统，其特征在于，所述第一存储单元的有源区面积是所述第二存储单元的有源区面积的三倍。

8.一种权利要求1所述存储系统的编程方法，其特征在于，包括：

施加2V～3V的电压至所述第二位线；

施加0.2V～0.4V的电压至与待编程第一存储单元连接的第一位线；

施加1V～2V的电压至与所述待编程第一存储单元连接的第一字线；

施加7V～9V的电压至与所述待编程第一存储单元连接的第一源线；

施加2V～3V的电压至未与所述待编程第一存储单元连接的第一位线；

施加0V的电压至未与所述待编程第一存储单元连接的第一字线；

施加0V～0.6V的电压至未与所述待编程第一存储单元连接的第一源线。