[发明专利]一种有机发光显示装置及其制备方法

权利要求书

1.一种有机发光显示装置，包括：

基板；

设置在所述基板上方的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管进一步包括有源层、栅极层、源/漏电极层，以及使所述有源层、所述栅极层、所述源/漏电极层极彼此分开的一层或多层绝缘层，源极/漏极与所述有源层接触连接；

设置在所述基板上方的有机发光二极管；

其特征在于，

还包括与源/漏电极层同层制备的导电组件；所述绝缘层上刻蚀有容纳所述源极/漏极以及所述导电组件的沟槽。

2.根据权利要求1所述的一种有机发光显示装置，其特征在于，所述沟槽的深度为

3.根据权利要求1或2所述的一种有机发光显示装置，其特征在于，所述薄膜晶体管为底栅结构或顶栅结构。

4.一种如权利要求1-3任一项所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、在基板上方制备薄膜晶体管中的有源层、绝缘层、栅极；

S2、通过光刻与刻蚀工艺，根据导电层图案，对所述绝缘层进行刻蚀，形成能填充所述导电层图案的沟槽；

S3、在所述绝缘层上直接形成所述导电层并图案化，形成源/漏电极层与其他导电组件。

5.根据权利要求4所述的一种有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，所述沟槽的深度为

6.根据权利要求4或5所述的一种有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，所述沟槽的宽度比填充在其内的所述导电层图案的宽度大1μm～2μm。

7.根据权利要求4所述的一种有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，所述步骤S1与所述步骤S2之间还包括：通过光刻与刻蚀工艺，对所述绝缘层进行刻蚀，形成暴露所述有源层两端的电极孔的步骤。

8.根据权利要求4或7所述的一种有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，所述导电层的厚度为

9.根据权利要求4或7所述的一种有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，所述步骤S3之后还包括制备有机发光二极管的步骤，所述有机发光二极管由下至上包括层叠设置的第一电极、有机功能层和第二电极，所述第一电极与所述源/漏电极层电连接。

10.根据权利要求9所述的一种有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，步骤S1中还包括在所述基板上直接形成缓冲层的步骤。