[发明专利]一种有机发光显示装置及其制备方法

说明书

本发明所述的有机发光显示装置，包括基板、设置在所述基板上方的薄膜晶体管，薄膜晶体管进一步包括有源层、栅极层、源/漏电极层，以及使有源层、栅极、源/漏电极层极彼此分开的一层或多层绝缘层；源/漏电极层与其同层制备的导电组件之间由绝缘阻隔壁隔开。采用绝缘的阻隔壁将源/漏电极层与其同层制备的导电组件隔开，有效避免了导电层在图案化过程中极易出现的短路问题，从而有效提高了产品的良率。本发明所述的有机发光显示装置的制备方法，通过在绝缘层中形成能够填充所述导电层图案的沟槽，从而使得在源/漏电极层与其同层制备的导电组件之间设置绝缘阻隔壁，有效避免了导电层在图案化过程中极易出现的短路问题；而且，工艺简单易实施。

技术领域

本发明涉及平板显示技术领域，具体涉及一种有机发光显示装置及其制备方法。

背景技术

有源矩阵有机发光显示装置(英文全称Active Matrix organic lightingemitting display，简称AMOLED)，是主动发光器件，具有高对比度、广视角、低功耗、体积更薄等优点，有望成为下一代主流平板显示技术，是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一。

如图1所示，AMOLED利用薄膜晶体管1(TFT)，搭配电容存储信号，来控制有机发光二极管2(OLED)的亮度和灰阶表现。每个单独的有机发光二极管2具有完整的阴极、有机功能层和阳极，阳极覆盖一个薄膜晶体管1阵列，形成一个矩阵。AMOLED具有可大尺寸化，较省电，高解析度，面板寿命较长等特点，因此在显示技术领域得到了高度重视。

随着显示面板的大尺寸化以及产品的分辨率要求越来越高，面板中各层图形越来越密集，即各种线宽、线距均变小。因此，由于短路、断线造成的不良产品比例也会增加，大大降低了产品的良率。如图1所示，以低温多晶硅基板为例，薄膜晶体管1包括层叠设置在基板10上的有源层3、第一绝缘层4、栅极5、第二绝缘层6、源极71、漏极72，源极71和漏极72通过设置在第一绝缘层4和第二绝缘层6之间孔道与半导体层3接触连接。在制备工艺中，第三金属层(metal3)图案化后一般用于制备薄膜晶体管2的源极71、漏极72以及其他导电结构8。由于在前工艺产生大量的倾斜角和台阶结构，第三金属层在图案化过程中极易出现短路问题，如源极71与其他导电组件8的短接，进而影响产品良率。

发明内容

为此，本发明所要解决的是现有有机发光显示装置良率低的问题，提供一种高良率的有机发光显示装置及其制备方法。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下：

本发明所述的一种有机发光显示装置，包括：

基板；

设置在所述基板上方的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管进一步包括有源层、栅极层、源/漏电极层，以及使所述有源层、所述栅极、所述源/漏电极层极彼此分开的一层或多层绝缘层，所述源极/漏极与所述有源层接触连接；

设置在所述基板上方的有机发光二极管；

所述源/漏电极层与其同层制备的导电组件之间由绝缘阻隔壁隔开。

优选地，所述阻隔壁的高度为

优选地，所述薄膜晶体管为底栅结构或顶栅结构。

本发明所述的有机发光显示装置的制备方法，包括如下步骤：

S1、在基板上方制备薄膜晶体管中的有源层、绝缘层、栅极；

S2、通过光刻与刻蚀工艺，根据导电层图案，对所述绝缘层进行刻蚀，形成能填充所述导电层图案的沟槽；

S3、在所述绝缘层上直接形成所述导电层并图案化，形成所述源/漏电极层与其他导电组件。

优选地，所述沟槽的深度为