[发明专利]一种LCOS显示装置及制造方法

权利要求书

1.一种LCOS显示装置的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供衬底；

在所述衬底的一面上形成超晶格堆栈结构，所述超晶格堆栈结构通过如下步骤形成：在所述衬底的一面上形成初始堆栈结构，所述初始堆栈结构由SiO₂层和SiO_x层交替堆叠组成，其中，1<x<2；进行热退火工艺，使得SiO_x层转变为纳米晶硅层，获得超晶格堆栈结构；

在所述超晶格堆栈结构上形成抗反射层，并在所述衬底的另一面上形成电极层；以及

将所述衬底通过所述电极层与一液晶硅片贴合。

2.根据权利要求1所述的LCOS显示装置的制造方法，其特征在于，所述初始堆栈结构中SiO₂层和SiO_x层交替堆叠组数为5组以上。

3.根据权利要求2所述的LCOS显示装置的制造方法，其特征在于，在每组中，SiO₂层的厚度相同或不同，SiO_x层的厚度相同或不同。

4.根据权利要求3所述的LCOS显示装置的制造方法，其特征在于，每一所述SiO₂层的厚度为2-5nm，每一所述SiO_x层的厚度为1-5nm。

5.根据权利要求4所述的LCOS显示装置的制造方法，其特征在于，经热退火工艺后，转变成的纳米晶硅层中纳米晶硅的粒径为1-5nm。

6.根据权利要求1所述的LCOS显示装置的制造方法，其特征在于，所述热退火工艺的温度为1000℃以上，持续时间1小时以上，在氮气或者氢气氛围中进行。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的LCOS显示装置的制造方法，其特征在于，在形成超晶格堆栈结构之后，在所述超晶格堆栈结构上形成抗反射层之前，还包括：

在所述超晶格堆栈结构中形成通孔，所述通孔暴露出所述衬底。

8.根据权利要求7所述的LCOS显示装置的制造方法，其特征在于，所述液晶硅片包括一框胶，所述通孔靠近所述框胶。

9.一种LCOS显示装置，其特征在于，包括液晶硅片和衬底，所述衬底的一面上依次形成有超晶格堆栈结构和抗反射层，所述超晶格堆栈结构通过如下步骤形成：在所述衬底的一面上形成初始堆栈结构，所述初始堆栈结构由SiO₂层和SiO_x层交替堆叠组成，其中，1<x<2；进行热退火工艺，使得SiO_x层转变为纳米晶硅层，获得超晶格堆栈结构；

所述衬底的另一面上形成有电极层，所述衬底通过所述电极层与所述液晶硅片相贴合。