[发明专利]一种LCOS显示装置及制造方法

说明书

本发明提供了一种LCOS显示装置及制造方法。该方法包括：提供衬底；在所述衬底的一面上形成超晶格堆栈结构；在所述超晶格堆栈结构上形成抗反射层，并在所述衬底的另一面上形成电极层；以及将所述衬底通过所述电极层与一液晶硅片贴合。本发明的LCOS显示装置利用超晶格堆栈结构吸收了LCOS显示装置发出的紫外光，改善了现有LCOS显示装置由于被紫外光侵蚀而导致出现残像或永久性变暗的问题。

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，特别涉及一种LCOS显示装置及制造方法。

背景技术

LCOS(Liquid Crystal on Silicon，液晶附硅)显示装置是一种新型的反射式投影显示装置，其是采用半导体硅晶技术控制液晶进而“投射”彩色画面。与穿透式LCD(Liquid Crystal Display)和DLP(Digital Light Procession)显示装置相比，LCOS显示装置具有光利用效率高、体积小、开口率高、制造技术成熟等特点，其可以很容易实现高分辨率和充分的色彩表现。上述优点使得LCOS显示装置在今后的大屏幕显示应用领域具有很大的优势。

图1示出了现有技术中的LCOS显示装置的结构示意图。由图1可见，所述LCOS显示装置包括硅片1和衬底5，所述硅片1和衬底5之间形成有液晶材料层3和框胶2，所述液晶材料层3由框胶2保护。具体的，该衬底5朝向硅片1的一侧形成有ITO电极层，背离硅片1的一侧形成有抗反射层6。

在实际生产中发现，这种LCOS显示装置容易出现残像或永久性变暗等问题，降低了LCOS显示装置的使用寿命，也影响着用户体验。

因此，如何解决这一问题，成为本领域技术人员攻坚的一方向。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种LCOS显示装置及制造方法，以解决现有技术中出现残像或永久性变暗的问题。

本发明的另一目的在于提高LCOS显示装置的显示效果。

为解决上述技术问题，本发明提供的LCOS显示装置的制造方法，包括如下步骤：

提供衬底；

在所述衬底的一面上形成超晶格堆栈结构；

在所述超晶格堆栈结构上形成抗反射层，并在所述衬底的另一面上形成电极层；以及

将所述衬底通过所述电极层与一液晶硅片贴合。

可选的，对于所述的LCOS显示装置的制造方法，所述超晶格堆栈结构通过如下步骤形成：

在所述衬底的一面上形成初始堆栈结构，所述初始堆栈结构由SiO₂层和SiO_x层交替堆叠组成，其中，1<x<2；

进行热退火工艺，使得SiO_x层转变为纳米晶硅层，获得超晶格堆栈结构。

可选的，对于所述的LCOS显示装置的制造方法，所述初始堆栈结构中SiO₂层和SiO_x层交替堆叠组数为5组以上。

可选的，对于所述的LCOS显示装置的制造方法，在每组中，SiO₂层的厚度相同或不同，SiO_x层的厚度相同或不同。

可选的，对于所述的LCOS显示装置的制造方法，每一所述SiO₂层的厚度为2-5nm，每一所述SiO_x层的厚度为1-5nm。

可选的，对于所述的LCOS显示装置的制造方法，经热退火工艺后，转变成的纳米晶硅层中纳米晶硅的粒径为1-5nm。