[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，包括：

步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构和位于所述栅极结构两侧的∑形抬升源漏；

步骤S2：对所述∑形抬升源漏上部的倾斜侧壁以接近垂直于所述倾斜侧壁的方向进行非晶化离子注入，以在所述倾斜侧壁上形成非晶化层，并使所述∑形抬升源漏顶部形成的非晶化层的厚度小于所述倾斜侧壁上形成的非晶化层厚度，以降低在所述∑形抬升源漏边缘下方LDD离子注入和/或源漏注入的离子注入深度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述非晶化离子注入方向与所述倾斜侧壁之间的夹角为85-95°，以使所述∑形抬升源漏顶部形成的所述非晶化层的厚度小于所述倾斜侧壁上形成的所述非晶化层的厚度。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S2包括：

步骤S21：对所述∑形抬升源漏上部的第一倾斜侧壁进行所述非晶化离子注入，以在所述第一倾斜侧壁形成非晶化层；

步骤S22：对与所述第一倾斜侧壁相对的第二倾斜侧壁进行所述非晶化离子注入，以在所述第二倾斜侧壁形成非晶化层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，在所述半导体衬底上形成有若干鳍片和部分覆盖所述鳍片的隔离材料层，所述栅极结构环绕所述鳍片设置，所述∑形抬升源漏位于所述栅极结构两侧的所述鳍片上。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中对与所述隔离材料层相邻的所述倾斜侧壁进行非晶化离子注入，以形成所述非晶化层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述∑形抬升源漏选用SiGe，所述非晶化离子注入选用Ge离子。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括步骤S3：以竖直或者倾斜的方向执行LDD离子注入和/或源漏注入。

8.一种基于权利要求1至7之一所述的方法制备得到的半导体器件。

9.一种电子装置，包括权利要求8所述的半导体器件。