[发明专利]芯片封装方法有效
| 申请号： | 201511027882.1 | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN106935518B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 周敢营 | 申请（专利权）人： | 无锡华润安盛科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/58;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/495 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 庞聪雅 |
| 地址： | 214028 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 封装 方法 | ||
1.一种芯片封装方法，其特征在于，其包括：
提供引线框架，该引线框架包括岛区、引线端子、框架端部以及连接所述引线端子和岛区的连筋部；
将晶片安放于所述引线框架的岛区上；
通过键合工艺将键合线连接于所述晶片的焊盘和相应的引线端子之间；
通过塑封模具形成塑封体以将所述晶片、键合线和部分引线框架塑封于所述塑封体内，所述塑封体包括与所述框架端部相接合的塑封体端部；
在露于所述塑封体外的引线框架部分上电镀一层金属；
切除所述引线框架的连筋部以形成芯片产品，此时所述芯片产品由所述框架端部支撑；和
将所述芯片产品从所述引线框架上分离出来；
其中，所述塑封模具的靠近所述框架端部的位置设置排气凹槽，在通过所述塑封模具进行塑封时从所述排气凹槽排出部分溢料，这部分溢料覆盖在所述框架端部的部分区域上。
2.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于：所述引线框架是由腐蚀工艺制造而成的。
3.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于：所述排气凹槽的深度为0.010mm至0.030mm。
4.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于：所述排气凹槽的宽度为所述塑封体的宽度的1/4至1/3。
5.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于：所述电镀形成的一层金属为一层锡。
6.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于：根据所述芯片产品从所述引线框架上分离出来的方向，设置所述排气凹槽在所述塑封模具上的具体位置，
若所述芯片产品向下从所述引线框架上分离出来，则所述排气凹槽被设置的面向所述引线框架的框架端部的下表面；若所述芯片产品向上从所述引线框架上分离出来，则所述排气凹槽被设置的面向所述引线框架的框架端部的上表面。
7.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于：所述排气凹槽设置于所述塑封模具的下型腔。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
