[发明专利]芯片封装方法

说明书

本发明公开一种芯片封装方法，其包括：提供引线框架，该引线框架包括岛区、引线端子、框架端部以及连筋部；将晶片安放于所述引线框架的岛区上；将键合线连接于所述晶片的焊盘和相应的引线端子之间；通过塑封模具形成塑封体以将所述晶片、键合线和部分引线框架塑封于所述塑封体内，所述塑封体包括与所述框架端部相接合的塑封体端部；将所述芯片产品从所述引线框架上分离出来。所述塑封模具的靠近所述框架端部的位置设置排气凹槽，在通过所述塑封模具进行塑封时从所述排气凹槽排出部分溢料，这部分溢料覆盖在所述框架端部的部分区域上，这样在电镀时就不会在所述框架端部上形成完整的金属层，从而解决芯片产品的侧边上形成金属丝的问题。

【技术领域】

本发明涉及一种芯片制造领域，尤其涉及一种芯片封装方法。

【背景技术】

目前引线框架包括有两种，一种是通过腐蚀工艺形成的引线框架，可以被称为腐蚀引线框架，另一种是通过冲压工艺形成的引线框架，可以被称为冲压引线框架。

通过腐蚀工艺形成的引线框架的分行面形状为弧形凹入，端部侧面有尖毛边。如图1所示的，其示意出了腐蚀引线框架的端部侧面，引线框架的上表面为110，下表面为120，端部侧面为130，可见由于端部侧面是腐蚀而成的，因此具有毛边，端部侧面在与上表面110和下表面120交界处形成有尖刺。通过冲压工艺形成的引线框架的分行面形状为平面，端部侧面为R角，无毛边。如图2所示的，其示意出了冲压引线框架的端部侧面，引线框架的上表面为210，下表面为220，端部侧面为230，可见由于端部侧面是冲压而成的，因此无毛边，在端部侧面230与下表面220交界处形成有R角。

在将芯片产品从腐蚀引线框架上拉扯分离时，所述端部侧面的毛边容易导致腐蚀引线框的端部上层电镀的锡层被带出，而在所述芯片产品的侧边上形成锡丝，造成引脚短路风险。

由于冲压引线框的端部侧面无毛边，因此在将芯片产品从冲压引线框架上拉扯分离时，不会在所述产品的侧边上形成锡丝。虽然将腐蚀框架更换成冲压框架可以解决在所述产品的侧边上形成锡丝的问题，然而这样会带来另外的两个问题：第一、无法满足客户要求；第二、冲压引线框架模具开模费用高，周期长，影响产品交期。

有必要提出一种新的方案来解决在所述产品的侧边上形成金属丝的问题。

【发明内容】

本发明的目的之一在于提供一种芯片封装方法，其在采用腐蚀引线框的同时还能够解决芯片产品的侧边上形成金属丝的问题。

为实现上述目的，根据本发明的一个方面，本发明提供芯片封装方法，其包括：提供引线框架，该引线框架包括岛区、引线端子、框架端部以及连接所述引线端子和岛区的连筋部；将晶片安放于所述引线框架的岛区上；通过键合工艺将键合线连接于所述晶片的焊盘和相应的引线端子之间；通过塑封模具形成塑封体以将所述晶片、键合线和部分引线框架塑封于所述塑封体内，所述塑封体包括与所述框架端部相接合的塑封体端部；在露于所述塑封体外的引线框架部分上电镀一层金属；切除所述引线框架的连筋部以形成芯片产品，此时所述芯片产品由所述框架端部支撑；和，将所述芯片产品从所述引线框架上分离出来；其中，所述塑封模具的靠近所述框架端部的位置设置排气凹槽，在通过所述塑封模具进行塑封时从所述排气凹槽排出部分溢料，这部分溢料覆盖在所述框架端部的部分区域上。

进一步的，所述引线框架是由腐蚀工艺制造而成的。

进一步的，所述排气凹槽的深度为0.010mm至0.030mm。

进一步的，所述排气凹槽的宽度为所述塑封体的宽度的1/4至1/3。

进一步的，所述电镀形成的一层金属为一层锡。

进一步的，根据所述芯片产品从所述引线框架上分离出来的方向，设置所述气凹槽在所述塑封模具上的具体位置。

进一步的，所述排气凹槽设置于所述塑封模具的下型腔。