[发明专利]一种多功能仪表盘或照相机视窗及其制备方法

权利要求书

1.一种多功能仪表盘或照相机视窗，包括基片，其特征在于：所述基片的外表面从里到外依序设有第一膜层、第二膜层、第三膜层、第四膜层、第五膜层、第六膜层、第七膜层和第八膜层；所述第一膜层和第三膜层均为五氧化三钛层，厚度均为10-100nm；所述第二膜层和第四膜层均为二氧化硅层，厚度均为50-100nm；所述第五膜层为纳米银层，第五膜层的厚度为5-20nm；所述第六膜层为ITO层，厚度为10-100nm；所述第七膜层为高硬度层，厚度为10-50nm；所述第八膜层为氟化物层，厚度为3-10nm。

2.根据权利要求1所述的一种多功能仪表盘或照相机视窗，其特征在于：所述的五氧化三钛层的膜材为五氧化三钛，并由电子枪蒸镀成型，二氧化硅层的膜材为二氧化硅，并由电子枪蒸镀成型。

3.根据权利要求1所述的一种多功能仪表盘或照相机视窗，其特征在于：所述纳米银层的膜材为银的氧化物，并使用电子枪蒸镀成型，所述银的氧化物为Ag₂O、AgO或Ag₂O₃，所述ITO层的膜材为ITO，并由电子枪蒸镀成型。

4.根据权利要求1所述的一种多功能仪表盘或照相机视窗，其特征在于：所述高硬度层的膜材为三氧化二铝、氧化锆、二氧化硅晶体或一氧化硅晶体，并由电子枪蒸镀成型。

5.根据权利要求1所述的一种多功能仪表盘或照相机视窗，其特征在于：所述氟化物层的膜材为氟化镁，并由电阻加热蒸镀成型。

6.根据权利要求1所述的一种多功能仪表盘或照相机视窗，其特征在于：所述基片由树脂或玻璃成型。

7.根据权利要求6所述多功能仪表盘或照相机视窗的制备方法，其特征在于：所述基片由树脂成型时，所述制备方法具体包括以下步骤：

1）对基片进行清洗、干燥；

2）对基片的外表面进行镀膜；

A、镀第一膜层：

将真空镀膜舱内的压力值调整至小于或等于5.0×10^-3帕，并控制真空镀膜舱内的温度为50-70℃，采用电子枪轰击第一膜层的膜材，第一膜层的膜材蒸发后以纳米级分子形式沉积于基片的外表面，同时控制第一膜层蒸镀的速率为2.5?/S，第一膜层最终形成后的厚度为10-100nm；其中，所述第一膜层的膜材为五氧化三钛，形成五氧化三钛层；

B、镀第二膜层：

保持真空镀膜舱内的压力值小于或等于5.0×10^-3帕，同时保持真空镀膜舱内的温度为50-70℃，采用电子枪轰击第二膜层的膜材，第二膜层的膜材蒸发后以纳米级分子形式沉积于上述步骤A中第一膜层的表面，同时控制第二膜层蒸镀的速率为7?/S，第二膜层最终形成后的厚度为50-100nm；其中，所述第二膜层的膜材为二氧化硅，形成二氧化硅层；

C、镀第三膜层：

保持真空镀膜舱内的压力值小于或等于5.0×10^-3帕，同时保持真空镀膜舱内的温度为50-70℃，采用电子枪轰击第三膜层的膜材，第三膜层的膜材蒸发后以纳米级分子形式沉积于上述步骤B中第二膜层的表面，同时控制第三膜层蒸镀的速率为2.5?/S，第三膜层最终形成后的厚度为10-100nm；其中，所述第三膜层的膜材为五氧化三钛，形成五氧化三钛层；

D、镀第四膜层：

保持真空镀膜舱内的压力值小于或等于5.0×10^-3帕，同时保持真空镀膜舱内的温度为50-70℃，采用电子枪轰击第四膜层的膜材，第四膜层的膜材蒸发后以纳米级分子形式沉积于上述步骤C中第三膜层的表面，同时控制第四膜层蒸镀的速率为7?/S，第四膜层最终形成后的厚度为50-100nm；其中，所述第四膜层的膜材为二氧化硅，形成二氧化硅层；

E、镀第五膜层：

保持真空镀膜舱内的压力值大于或等于5.0×10^-3帕，同时保持真空镀膜舱内的温度为50-70℃，采用电子枪轰击第五膜层的膜材银的氧化物，银的氧化物蒸发后分解，以纳米银形式在步骤D中第四膜层的表面形成薄层，同时控制第五膜层蒸镀的速率为1?/S，第五膜层最终形成后的厚度为5-20nm；

F、镀第六膜层：

保持真空镀膜舱内的压力值小于或等于5.0×10^-3帕，同时保持真空镀膜舱内的温度为50-70℃，采用电子枪轰击第六膜层的膜材，第六膜层的膜材蒸发后以纳米级分子形式沉积于上述步骤E中第五膜层的表面，同时控制第六膜层蒸镀的速率为1?/S，第六膜层最终形成后的厚度为10-100nm；其中，所述第六膜层的膜材为ITO，形成ITO层；

G、镀第七膜层：

保持真空镀膜舱内的压力值小于或等于5.0×10^-3帕，同时保持真空镀膜舱内的温度为50-70℃，采用电子枪轰击第七膜层的膜材，第七膜层的膜材蒸发后以纳米级分子形式沉积于上述步骤F中第六膜层的表面，同时控制第七膜层蒸镀的速率为7?/S，第六膜层最终形成后的厚度为10-50nm；其中，所述第六膜层的膜材为三氧化二铝、氧化锆、二氧化硅高硬度晶体或者一氧化硅高硬度晶体，形成高硬度层；

H、镀第八膜层：

保持真空镀膜舱内的压力值小于或等于5.0×10^-3帕，同时保持真空镀膜舱内的温度为50-70℃，采用电阻加热第八膜层的膜材，第八膜层的膜材蒸发后以纳米级分子形式沉积于上述步骤G中第七膜层的表面，同时控制第八膜层蒸镀的速率为1.5?/S，第八膜层最终形成后的厚度为3-10nm；其中，所述第八膜层的膜材为氟化镁，形成氟化物层。