[发明专利]包括非晶气体阻隔层的设备

权利要求书

1.一种用于磁存储的设备，包括：

近场换能器NFT；

被定位成毗邻所述NFT的写极；

被定位在所述NFT的至少一部分上和所述写极的至少一部分上的非晶气体阻隔层；以及

被定位在气体阻隔层的至少一部分上的耐磨层。

2.根据权利要求1所述的设备，其中非晶气体阻隔层的材料具有不大于3nm的平均晶粒尺寸。

3.根据权利要求1所述的设备，其中非晶气体阻隔层具有从0.1nm至10nm的厚度。

4.根据权利要求1所述的设备，其中非晶气体阻隔层包括：

氧化钽(TaO)、氧化铬(CrO)、氧化钛(TiO)、氧化锆(ZrO)、氧化钇(YO)、氧化铌(NbO)、氧化铪(HfO)、氧化铝(AlO)、氧化镁(MgO)、氧化铁(FeO)、氧化钴(CoO)、氧化镍(NiO)或它们的一些组合，

氮化钛(TiN)、氮化锆(ZrN)、氮化铌(NbN)、氮化铪(HfN)、氮化铬(CrN)或它们的组合；或者

它们的组合。

5.根据权利要求1所述的设备，其中非晶气体阻隔层包括氧化镁(MgO)、氧化铁(FeO)、氧化钴(CoO)、氧化镍(NiO)、氧化铟锡(ITO)或它们的一些组合。

6.根据权利要求1所述的设备，其中非晶气体阻隔层包括氧化钛(TiO)、氧化钇(YO)或它们的组合。

7.根据权利要求1所述的设备，其中非晶气体阻隔层包括第一非晶气体阻隔层和第二非晶气体阻隔层，其中第一非晶气体阻隔层比第二非晶气体阻隔层更靠近所述NFT。

8.根据权利要求7所述的设备，其中第二非晶气体阻隔层包括氧化硅(SiO)、氧化锗(GeO)、氧化铝(AlO)、氧化铬(CrO)、氧化硼(BO)、氮化硼(BN)、氮化硅(SiN)、氮化铝(AlN)、氮化锗(GeN)、氮氧化硅(SiON)、氮氧化铝(AlON)、氮氧化铬(CrON)、氮氧化锗(GeON)、氮氧化硼(BON)、氮氧化钽(TaON)、钽氮氧化硅(TaSiON)、氮氧化钛(TiON)、氮氧化锆(ZrON)、氮氧化铪(HfON)、氮氧化钇(YON)、氮氧化硅钇(YSiON)或它们的组合。

9.根据权利要求1所述的设备，其中非晶气体阻隔层包括一个或多个网络形成元素。

10.根据权利要求9所述的设备，其中一个或多个网络形成元素选自：硅(Si)、锗(Ge)、硼(B)、磷(P)、铝(Al)和铬(Cr)。

11.根据权利要求9所述的设备，其中一个或多个网络形成元素以5原子％(at％)至90at％的量存在于非晶气体阻隔层中。

12.根据权利要求1所述的设备，进一步包括NFT粘附层和耐磨粘附层中的至少一个，其中NFT粘附层被定位在所述NFT和非晶气体阻隔层之间，以及耐磨粘附层被定位在非晶气体阻隔层和耐磨层之间。

13.根据权利要求1所述的设备，进一步包括NFT粘附层和耐磨粘附层两者，其中NFT粘附层被定位在所述NFT和非晶气体阻隔层之间，以及耐磨粘附层被定位在非晶气体阻隔层和耐磨层之间。

14.一种用于磁存储的设备，包括：

近场换能器NFT；

被定位成毗邻所述NFT的写极；

被定位在所述NFT的至少一部分上和所述写极的至少一部分上的非晶气体阻隔层；

被定位在所述NFT和非晶气体阻隔之间的NFT粘附层；以及

被定位在气体阻隔层的至少一部分上的耐磨层。

15.根据权利要求14所述的设备，其中非晶气体阻隔层的材料具有不大于3nm的平均晶粒尺寸。