[发明专利]包括非晶气体阻隔层的设备

说明书

设备，其包括：近场换能器(NFT)；被定位在NFT的至少一部分上的非晶气体阻隔层；以及被定位在气体阻隔层的至少一部分上的耐磨层。

优先权

本申请要求于2014年11月11日提交的被授予号码62/078113的美国临时申请的优先权，本文通过对其引用而将其内容全部并入。

发明内容

公开了设备，其包括：近场换能器(NFT)；被定位在NFT的至少一部分上的非晶气体阻隔层；以及被定位在气体阻隔层的至少一部分上的耐磨层。

还公开了设备，其包括：近场换能器(NFT)；被定位在NFT的至少一部分上的非晶气体阻隔层；被定位在NFT和非晶气体阻隔层之间的NFT粘附层；以及被定位在气体阻隔层的至少一部分上的耐磨层。

进一步公开了方法，其包括：形成近场换能器(NFT)；通过沉积金属层并且随后氧化金属层的至少一部分，在NFT上形成非晶气体阻隔层，金属层包括：钽(Ta)、钛(Ti)、铬(Cr)、锆(Zr)、钇(Y)、镁(Mg)、铌(Nb)、铪(Hf)、铝(Al)及它们的组合；并在气体阻隔层上形成耐磨层。

本公开的以上概要并非旨在描述每个公开的实施例或本公开的每种实现方式。下面的描述更特别地示例说明性的实施例。在整个申请的几个地方，通过示例列表提供指导，其示例可以用于各种组合中。在每一种情况下，所列举的列表仅仅充当代表性的组合，并且不应当被解释为排他性的列表。

附图说明

图1是可以包括HAMR设备的磁盘驱动器的透视图。

图2是垂直HAMR磁记录头和相关联的记录介质的横截面图。

图3A、3B和3C是包括公开的气体阻隔层的设备的横截面图。

图4A和4B是包括公开的双层气体阻隔层的设备的横截面图。

图5是二元硅酸钠玻璃的结构的示意性二维图解，例如作为网络形成元素(Me)如何影响氧化物的说明性示例。

图6A至6C是退火后具有在其上形成的各种层的说明性NFT的SEM图像。

图7A至7D是退火后具有在其上形成的各种层的说明性NFT的SEM图像。

图不一定按比例绘制。在图中使用的相同数字指代相同的组件。然而，应当理解，使用数字指代给定图中的组件不旨在限制另一附图中标有相同数字的组件。

具体实施方式

热辅助磁记录(通称为HAMR)利用例如来自激光的辐射，以将介质加热到高于其居里温度的温度，使能磁记录。为了向介质的小区域(例如在20至50nm的量级)释放辐射，例如激光束，利用NFT。在磁记录操作期间，NFT从激光吸收能量并将其聚焦到非常小的区域；这可引起NFT的温度增加。NFT的温度可升高高达约400℃或以上。

NFT和周围结构在操作期间达到的高温可以导致写入极的氧化、腐蚀或两者。另外，高温可以引起栓上方的粘附层氧化，这可以导致栓与包括在其上布置的外覆层的周围结构分离。最终，这些过程例如可以导致栓变形和凹陷、极氧化、极突出以及外覆层的损坏。所有这些效应也可减少释放到介质的磁场，进而影响写入介质。

公开的设备包括至少在磁头的NFT的栓区域上方邻近耐磨层的一个或多个气体阻隔层。气体阻隔层可以起到改善磁头上方的总体结构的气体阻隔属性的作用。气体阻隔层可以被认为是外覆结构的一部分，或者可以被认为是与外覆结构协同起作用的单独层或结构。