[发明专利]一种自对准MOSFET器件的制作方法在审
| 申请号： | 201511029529.7 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN105655256A | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 刘丽蓉 | 申请（专利权）人： | 东莞市青麦田数码科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 广东莞信律师事务所 44332 | 代理人： | 吴炳贤 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市东城*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 对准 mosfet 器件 制作方法 | ||
1.一种III-VMOS器件及制作方法，其制作步骤依次是：
(1)在衬底上的半导体层101上形成沟道层102；
(2)在半导体沟道层上形成的欧姆接触层103；
(3)在欧姆接触层上制作二氧化硅介质开孔；
(4)以二氧化硅为掩膜，采用刻蚀的方法刻蚀欧姆接触层，形成栅槽；
(5)在栅槽内制作SiO2侧墙104；
(6)沉积高K介质105；
(7)制作栅金属106；
(8)以栅金属为掩膜刻蚀栅金属以外的高k介质、二氧化硅，露出欧姆接触层；
(9)采用蒸发工艺在有源区沉积源漏金属层107，制作完成MOSFET器件。
2.根据权利要求1所述的制作MOS器件的方法，所述单晶衬底101是磷化铟（InP）或者砷化镓（GaAs）衬底。
3.根据权利要求1所述的制作MOS器件的方法，所述沟道层102是砷化铟镓（InGaAs）。
4.根据权利要求1所述的制作MOS器件的方法，所述欧姆接触层103是砷化铟镓（InGaAs）、磷化铟(InP)或者砷化镓（GaAs）层。
5.根据权利要求1所述的制作MOS器件的方法，所述欧姆接触层上的二氧化硅厚度在40-60纳米，并且栅槽开孔采用电子束光刻胶为掩膜，ICP刻蚀而成。
6.根据权利要求1所述的制作MOS器件的方法，所述SiO2侧墙的制作采用ICP刻蚀法，在刻蚀后，在欧姆接触层上留下30-50纳米SiO2介质。
7.根据权利要求1所述的制作MOS器件的方法，所述源漏金属层107通过电子束蒸发的方式沉积在欧姆接触层上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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