[发明专利]一种与非型闪存中坏列的处理方法、装置及与非型闪存

说明书

本发明实施例公开一种与非型闪存中坏列的处理方法、装置及与非型闪存，该方法包括：扫描所述与非型闪存的存储区块，并扫描出的所述存储区块中的坏列；通过所述存储区块中的冗余列替换所述坏列并将所述坏列的地址记录在与该冗余列对应的标记锁存器中，记录所述坏列个数；扫描写入数据后的所述存储区块并得出所述存储区块的错误信息个数，根据所述错误信息个数和所述坏列个数得出所述存储区块的错误数据个数。本发明实施例仅需要至少一个标记锁存器记录坏列信息，并且标记锁存器的位置可以自由设计，与现有技术相比，不再需要将标记锁存器设置成横跨整个存储阵列的形状，由此可大大减少标记锁存器占用的面积，也降低与非型闪存排版布局的难度。

技术领域

本发明涉及集成电路存储技术领域，尤其涉及一种与非型闪存中坏列的处理方法、装置及与非型闪存。

背景技术

NAND FLASH是一种与非型闪存，可以在给定的芯片尺寸内提供较高的容量。NANDFLASH以页为基本单元进行存储，以块为基本单元进行擦除，具有很快的写入和擦除速度，是一种比硬盘驱动器更好的存储设备。

如图1所示，在NAND FLASH中，除了用来存储数据的存储器外，一般还包括灵敏放大器(Sense Amplifier，SA)、标记锁存器(Isolation latch，ISOL)和控制电路(图中未给出)，一组灵敏放大器(Sense Amplifier，SA)对应一组标记锁存器(Isolation latch，ISOL)。在NAND FLASH中，除了用户可访问到的存储资源外，还配备有冗余列(如图2所示)，若SA或是存储器中出现坏列，则动用冗余列资源将坏列替换掉，此时，将该坏列的地址、该坏列对应的替换冗余列的地址记录到该列所对应的标记锁存器中；若超出冗余列的替换范围，则将该坏列不可替换的信息记录到其对应的标记锁存器中；若某列不是坏列，则将其对应的标记锁存器标记为未使用。可见，存储器中某一列所对应的标记锁存器存储的信息包括：该标记锁存器本身是否可用，该标记锁存器是否已经使用，若已经使用，则记录其对应的坏列地址和替换冗余列地址；若未使用，则记录该信息。

但是，现有的NAND FLASH中，即使某列不是坏列，其也有对应的标记锁存器，导致标记锁存器资源被浪费；每一列存储单元都对应一组标记锁存器，使得在NAND FLASH中，标记锁存器占据了很大的面积；标记锁存器横跨整个存储器，在排版布局时需使用较大的面积。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种与非型闪存中坏列的处理方法、装置及与非型闪存，以解决现有技术中标记锁存器数量多，所占面积大，需横跨整个存储器，给电路板的排版布局造成不便等问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种与非型闪存中坏列的处理方法，包括：

扫描所述与非型闪存的存储区块，并扫描出所述存储区块中的坏列；

通过所述存储区块中的冗余列替换所述坏列并将所述坏列的地址记录在与该冗余列对应的标记锁存器中，记录所述坏列个数；

扫描写入数据后的所述存储区块并得出所述存储区块的错误信息个数，根据所述错误信息个数和所述坏列个数得出所述存储区块的错误数据个数。

进一步的，通过所述存储区块中的冗余列替换所述坏列，并将所述坏列的地址记录在与该冗余列对应的标记锁存器中，记录所述坏列个数，包括：调用一个冗余列并判断所述冗余列是否是正常列；若所述冗余列为坏列，则返回并调用下一个冗余列；若所述冗余列为正常列，则通过该冗余列替换所述坏列，并将所述坏列的地址记录在与该冗余列对应的标记锁存器中；当所述存储区块中的全部坏列替换完成后，统计所述坏列的个数。

进一步的，扫描写入数据后的所述存储区块并得出所述存储区块的错误信息个数，根据所述错误信息个数和所述坏列个数得出所述存储区块的错误数据个数，包括：上电结束后，向所述存储区块中写入数据；对所述存储区块进行错误数据扫描，以得出所述存储区块中的错误信息个数；计算所述错误信息个数与所述坏列个数的差值，以得到所述错误数据个数。