[发明专利]一种InGaAs沟道自对准MOSFET器件结构在审
| 申请号： | 201511031340.1 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN105789273A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 刘丽蓉;马莉;夏校军 | 申请（专利权）人： | 东莞市青麦田数码科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/423;H01L29/45;H01L29/78 |
| 代理公司： | 广东莞信律师事务所 44332 | 代理人： | 吴炳贤 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市东城*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ingaas 沟道 对准 mosfet 器件 结构 | ||
1.一种InGaAs沟道自对准MOS器件结构，其结构包括如下：
磷化铟衬底上生长的InGaAs沟道层（101）；
在InGaAs沟道层（101）上形成高K介质层（102）；
在高K介质层（102）上形成二氧化硅侧墙（103）;
在高K介质层（102）上形成钨栅金属层（104）;
在InGaAs沟道层（101）上形成N型离子注入区(105)；
N型离子注入区(105)上形成的Ni-InGaAs半金属层(106)；
在Ni-InGaAs半金属层(106)上形成的钨源漏金属层(107)；
在钨源漏金属层(107)层上形成的接触金属。
2.根据权利要求1所述的制作MOS器件结构，所述的二氧化硅侧墙（103）是采用先制作 假栅，然后采用PECVD沉积二氧化硅，最后刻蚀制作的。
3.根据权利要求1所述的制作MOS器件结构，所述的Ni-InGaAs半金属层(106)是在制作 完侧墙(103)、离子注入区后，采用电子束蒸发直接合金形成的，假栅上的镍金属，随着假栅 被去掉，在离子注入区剩下Ni-InGaAs半金属层(106)。
4.根据权利要求1所述的制作MOS器件结构，所述的钨栅金属（104）是在去掉侧墙工艺 后的假栅、以及源漏Ni-InGaAs半金属层(106)都制作完成后采用自对准的方法，与W源漏金 属(107)一通溅射形成的。
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