[发明专利]一种亮度均匀的发光照明屏及其制备方法在审
申请号: | 201511031678.7 | 申请日: | 2015-12-31 |
公开(公告)号: | CN105529354A | 公开(公告)日: | 2016-04-27 |
发明(设计)人: | 李曼 | 申请(专利权)人: | 北京翌光科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 彭秀丽 |
地址: | 100085 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 亮度 均匀 发光 照明 及其 制备 方法 | ||
1.一种亮度均匀的发光照明屏体,包括透明导电基板和封装盖板 (107),所述透明导电基板包括发光区域(101)和封装区域(102),所 述的封装区域(102)设有引线区域(110),所述透明导电基板和封装盖 板(107)之间通过光固化密封介质(108)实现连接,所述光固化密封 介质(108)的一端与透明导电基板的封装区域(102)连接,另一端与 所述封装盖板连接,其特征在于,
所述引线区域(110)内具有透明底部的凹陷部(103),部分所述光 固化密封介质填充在所述的凹陷部(103)内,所述光固化密封介质在光 线照射下固化实现透明导电基板与所述封装盖板之间的连接。
2.根据权利要求1所述亮度均匀的发光照明屏体,其特征在于:所 述透明导电基板包括基板(100)和设置在所述基板(100)上的第一透 明电极层(109),所述透明导电基板的封装区域设置有辅助电极层,所 述的凹陷部(103)在垂直于透明导电基板的方向贯穿所述辅助电极层使 所述第一透明电极层(109)裸露。
3.根据权利要求2所述亮度均匀的发光照明屏体,其特征在于:透 明导电基板的封装区域还设置有金属辅助引线(106),所述凹陷部(103) 设置在所述金属辅助引线(106)和发光区域(101)之间,所述凹陷部 (103)与所述金属辅助引线(106)之间的辅助电极层的宽度为0.2-1.5mm, 所述凹陷部(103)与所述发光区域(101)之间的辅助电极层的宽度为 0.2-1.5mm。
4.根据权利要求3所述亮度均匀的发光照明屏体,其特征在于:所 述凹陷部(103)的横截面积为封装区域(102)横截面积的30%-90%。
5.根据权利要求4所述亮度均匀的发光照明屏体,其特征在于:所 述凹陷部(103)的宽度为0.5-1.5mm。
6.根据权利要求5所述亮度均匀的发光照明屏体,其特征在于,相 邻所述凹陷部(103)之间的间距为1-2mm。
7.根据权利要求6所述亮度均匀的发光照明屏体,其特征在于,所 述封装区域(102)的宽度为2-3mm,金属辅助引线(106)的宽度为1-2mm。
8.根据权利要求1所述亮度均匀的发光照明屏体,其特征在于,所 述凹陷部(103)的横截面为圆形、长方形、曲线和/或直线围成的封闭 图形中的一种或其中几种的组合。
9.根据权利要求1所述亮度均匀的发光照明屏体,其特征在于, 所述的引线区域(110)与所述发光区域(101)之间设置有绝缘膜层(111), 所述的引线区域(110)的横截面积小于所述封装区域(102)的横截面 积。
10.根据权利要求1-9任一项所述亮度均匀的发光照明屏体,其特 征在于:所述的发光区域(101)堆叠设置有有机发光层和第二电极层。
11.一种权利要求1-9任一项所述亮度均匀的发光照明屏体制备方 法,其特征在于,包括下述步骤:
S1、在透明导电基板的引线区域(110)沉积辅助电极层,刻蚀所述 金属层形成金属辅助引线(106)和凹陷部(103),所述凹陷部(103) 位于辅助电极引线(106)和发光区域(101)之间,所述凹陷部贯穿所 述辅助电极层使所述第一透明电极层裸露;在所述的引线区域(110)靠 近所述发光区域的一侧制备绝缘膜层(111);
S2、在透明导电基板上的发光区域(101)上蒸镀有机发光层和阴极 层;
S3、在封装盖板(107)与所述封装区域(102)相对应的区域涂覆 光固化密封介质,将封装盖板(107)与透明导电基板的对位压合使二者 密封连接,部分所述的光固化密封介质填充在所述的凹陷部(103)内;
S4、通过紫外光照射使使光固化密封介质固化,从而使所述封装盖 板与封装区域(102)实现密封连接。
12.一种权利要求10所述亮度均匀的发光照明屏体制备方法,其特 征在于,所述步骤S4中紫外光垂直照射所述导电基板的封装区域使光固 化密封介质固化。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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