[发明专利]一种亮度均匀的发光照明屏及其制备方法在审
申请号: | 201511031678.7 | 申请日: | 2015-12-31 |
公开(公告)号: | CN105529354A | 公开(公告)日: | 2016-04-27 |
发明(设计)人: | 李曼 | 申请(专利权)人: | 北京翌光科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 彭秀丽 |
地址: | 100085 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 亮度 均匀 发光 照明 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及有机电致发光照明技术领域,具体是一种改善发光均匀 性的照明屏体及其制备方法。
背景技术
在有机电致发光器件(OLED,OrganicLight-EmittingDiode)中, 有机发光层和电极在潮湿和氧气的环境中,由于水氧作用会引起阴极脱 落,而且有机材料变质,从而影响有机发光器件的使用寿命。为解决该 问题,通常采用玻璃盖封装或薄膜封装等方式来保护有机发光层。
现有有机发光器件中,ITO电极具有好的透光率,且工艺成熟,而 广泛应用,然而随着OLED发光面积增大,ITO电极的方块电阻急剧增加, 导致大面积OLED照明屏体的发光均匀性变差。为了尽可能地减小ITO 电极的电阻,会在作为主电极引线的全部或部分ITO上覆盖辅助电极引 线,通常选择钼铝钼(Mo/Al/Mo)金属引线。然而,由于Mo/Al/Mo层不 透光,当从透明导电基板面(即远离封装的一侧)进行紫外光照射时, UV胶部分被Mo/Al/Mo层挡住而不能被照射,无法固化,影响封装效果。 现有的方法是从正反面分别照射,以使密封胶充分固化,增加了工艺难 度。
CN100530277C中公开OLED显示屏体线电阻被降低且玻璃衬底和封 盖之间的粘合度被增强的方法,其反电极和密封剂之间的交叉点形成格 状且反电极被形成为多边形、十字形或圆形中的一种或至少两种的组合 形式。但是在显示用OLED面板中,电极引线的宽度一般在μm量级,电 极之间的缝隙也在μm量级,当反电极刻蚀成格状时,易造成电极缝隙 刻蚀不净,产生列连,大大降低产品的良率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是现有照明屏体发光不均匀的问题,从 而提供一种亮度均匀的发光照明屏体,该亮度均匀的发光照明屏体通过 在引线区域设置金属辅助引线和若干凹陷部,光线穿过凹陷部的底部使 填充在凹陷部内的光固化密封介质固化,从而使所述封装盖板与引线区 域实现密封连接,同时辅助电极引线可以有效解决由于第一透明电极层 (阳极)的电阻使屏体亮度降低的问题,从而获得亮度均匀的发光照明 屏体。
为解决上述技术问题,本发明是通过以下技术方案实现的:
一种亮度均匀的发光照明屏体,包括透明导电基板和封装盖板域, 所述透明导电基板包括发光区域和封装区域,所述的封装区域设有引线 区域,所述透明导电基板和封装盖板之间通过光固化密封介质实现连接, 所述光固化密封介质的一端与透明导电基板的封装区域连接,另一端与 所述封装盖板连接,所述引线区域内具有透明底部的凹陷部,部分所述 光固化密封介质填充在所述的凹陷部内,所述光固化密封介质在光线照 射下固化实现透明导电基板与所述封装盖板之间的连接。
所述透明导电基板包括基板和设置在所述基板域上的第一透明电极 层,所述透明导电基板的封装区域设置有辅助电极层,所述的凹陷部在 垂直于透明导电基板的方向贯穿所述辅助电极层,使所述第一透明电极 层裸露。
透明导电基板的封装区域还设置有金属辅助引线,所述凹陷部设置 在所述金属辅助引线和发光区域之间,所述凹陷部与所述金属辅助引线 之间的辅助电极层的宽度为0.2-1.5mm,所述凹陷部与所述发光区域之 间的辅助电极层的宽度为0.2-1.5mm。
所述凹陷部的横截面积为封装区域横截面积的30%-90%,所述凹陷 部的宽度为0.5-1.5mm,相邻所述凹陷部之间的间距为1-2mm。所述封装 区域的宽度为2-3mm,金属辅助引线的宽度为1-2mm。
所述凹陷部的横截面为圆形、长方形、曲线和/或直线围成的封闭图 形中的一种或其中几种的组合。
所述的引线区域与所述发光区域之间设置有绝缘膜层,所述的引线 区域的横截面积小于所述封装区域的横截面积。
所述的发光区域堆叠设置有有机发光层和第二电极层。
一种所亮度均匀的发光照明屏体的制备方法,其特征在于,包括下 述步骤:
S1、在透明导电基板的引线区域沉积辅助电极层,刻蚀所述金属层 形成金属辅助引线域和凹陷部域,所述凹陷部域位于辅助电极引线和发 光区域之间,所述凹陷部贯穿所述辅助电极层使所述第一透明电极层裸 露;在所述的引线区域靠近所述发光区域的一侧制备绝缘膜层域;
S2、在透明导电基板上的发光区域上蒸镀有机发光层和阴极层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的