[发明专利]高相对密度低电阻率氧化铟锡靶材的制备方法

权利要求书

1.高相对密度低电阻率氧化铟锡靶材的制备方法，其特征在于：以金属铟、四氯化锡、硝酸为原料，十六烷基三甲基溴化铵为分散剂，金属铟、四氯化锡的加入量依据混合溶液中换算后的氧化铟和氧化锡质量比In2O3：SnO2＝90：10加入，用化学共沉淀法制备氧化铟锡复合粉体；所述化学共沉淀法是指把铟溶于硝酸，四氯化锡溶于二次去离子水中，待铟完全溶解后，将两种溶液混合后加入分散剂得到混合溶液，向混合溶液中加入碱性中和剂经共沉淀得到铟锡氢氧化物沉淀，洗涤杂质离子、固液分离、干燥、煅烧铟锡氢氧化物得到氧化铟锡复合粉体；然后在氧化铟锡复合粉体中加入复合烧结助剂球磨混合后，加入粘结剂进行造粒并干燥，对造粒过后的粉体先模压成型得到初坯，再对初坯进行冷等静压得到素坯，最后把素坯在氧氛围中进行烧结得到氧化铟锡靶材；

所述的复合烧结助剂为Nb2O5和Bi2O3；所述的复合烧结助剂中Nb2O5和Bi2O3的质量比为1～3，加入量为氧化铟锡复合粉体质量的2％～10％；

所述的粘结剂为聚乙烯醇或聚甲基丙烯酸丁酯或聚乙烯醇缩丁醛；

所述的分散剂十六烷基三甲基溴化铵的质量为铟锡氢氧化物质量的0.5％～2％。

2.如权利要求1所述的高相对密度低电阻率氧化铟锡靶材的制备方法，所述的造粒中加入的粘结剂的比例为氧化铟锡复合粉体质量的0.5％-3.5％。

3.如权利要求1所述的高相对密度低电阻率氧化铟锡靶材的制备方法，其特征在于：所述的模压成型的压力为15MPa-35MPa。

4.如权利要求1所述的高相对密度低电阻率氧化铟锡靶材的制备方法，其特征在于：所述的冷等静压的压力为250MPa-300MPa。

5.如权利要求1所述的高相对密度低电阻率氧化铟锡靶材的制备方法，其特征在于：所述的烧结是将素坯在高温炉中保持最高温度在1300℃-1600℃，烧结4-10个小时。