[发明专利]用于处理半导体衬底的方法和用于处理半导体晶片的方法

权利要求书

1.一种用于处理半导体衬底的方法，包括：

用待退火的金属覆盖所述半导体衬底的多个管芯区；

由所述半导体衬底形成多个管芯，其中所述多个管芯中的每一个管芯覆盖有所述金属，以及随后，

在大于或等于约220℃的温度下对覆盖所述多个管芯中的至少一个管芯的所述金属进行退火，其中由所述半导体衬底形成多个管芯包括等离子体切割，并且其中覆盖所述半导体衬底的多个管芯区的金属用作用于等离子体切割的掩模。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中用金属覆盖多个管芯区包括在所述半导体衬底之上形成金属层以及对所述金属层进行图案化。

3.根据权利要求1所述的方法，

其中用金属覆盖多个管芯区包括在半导体衬底的多个管芯区之上印刷包含所述金属的悬浮液。

4.根据权利要求3所述的方法，进一步包括：

在印刷之后对所述悬浮液进行预退火。

5.根据权利要求3所述的方法，

其中印刷所述悬浮液包括模板印刷。

6.根据权利要求1所述的方法，

其中所述金属包括铜。

7.根据权利要求1所述的方法，

其中所述半导体衬底是半导体晶片。

8.根据权利要求1所述的方法，

其中所述半导体衬底具有小于100μm的厚度。

9.根据权利要求1所述的方法，

其中覆盖所述多个管芯中的每一个管芯的金属具有大于或等于半导体衬底的厚度的25%的厚度。

10.根据权利要求1所述的方法，

其中由所述半导体衬底形成多个管芯包括切割。

11.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在切割之前将所述半导体衬底安装在玻璃载体上，使得多个管芯中的管芯在切割之后粘附到所述玻璃载体。

12.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在退火之前，用所述金属将多个管芯中的至少一个管芯粘附到金属层。

13.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在退火之前，将多个管芯中的至少一个管芯粘附到辅助载体。

14.根据权利要求1所述的方法，

其中覆盖所述半导体衬底的多个管芯区的所述金属形成背面金属化。

15.一种用于处理半导体晶片的方法，包括：

将层印刷在所述半导体晶片之上，所述层包括金属颗粒；

对所述层进行预退火；

将所述半导体晶片分离成多个管芯，其中多个管芯中的每一个管芯覆盖有预退火后的层的金属颗粒；以及随后，

在大于或等于约220℃的温度下烧结所述预退火后的层的金属颗粒。

16.根据权利要求15所述的方法，

其中分离所述半导体晶片包括等离子体切割。

17.根据权利要求15所述的方法，

其中烧结的金属颗粒提供背面金属化。

18.根据权利要求15所述的方法，

其中所述金属颗粒包括铜颗粒。