[发明专利]用于处理半导体衬底的方法和用于处理半导体晶片的方法

说明书

本发明涉及用于处理半导体衬底的方法和用于处理半导体晶片的方法。根据各种实施例，用于处理半导体衬底的方法可以包括：用金属覆盖半导体衬底的多个管芯区；由半导体衬底形成多个管芯，其中多个管芯中的每一个管芯覆盖有金属；以及随后，对覆盖多个管芯中的至少一个管芯的金属进行退火。

技术领域

各种实施例一般涉及用于处理半导体衬底的方法以及涉及用于处理半导体晶片的方法。

背景技术

一般地，金属可以在用于电接触管芯、芯片或任何其他半导体工件的半导体处理中使用。照惯例，金属化可以形成在晶片级上，例如金属化可以形成在晶片的各自管芯区或芯片区之上，并且最终晶片可以被切单为多个管芯或芯片。芯片或管芯可以包括正面金属化，通常包括特定布线，其可以针对操作管芯或芯片被要求。此外，例如在垂直集成半导体管芯或芯片的情况下，可以提供背面金属化或背面接触焊盘。背面金属化可以例如在晶片例如通过研磨背面来变薄至期望的厚度之后形成。

发明内容

根据各种实施例，用于处理半导体衬底的方法可以包括：用金属覆盖半导体衬底的多个管芯区；由半导体衬底形成多个管芯，其中所述多个管芯中的每一个管芯覆盖有金属；以及，随后，对覆盖所述多个管芯中的至少一个管芯的金属进行退火。

附图说明

在附图中，遍及不同视图的相同附图标记一般指代相同部件。附图不必按比例，相反一般将重点放在图示本发明的原理上。在下面的描述中，本发明的各种实施例参考下面的附图进行描述，在其中：

图1A和1B分别示出了由常规使用的方法处理的半导体晶片；

图2示出了根据各种实施例的用于处理半导体衬底的方法的示意性流程图；

图3A至3D分别在示意性横截面视图中示出了根据各种实施例的在处理期间的各种阶段的半导体衬底；

图4示出了根据各实施例的用于处理半导体晶片的方法的示意性流程图；

图5在示意性横截面视图中示出了根据各种实施例的在处理期间的各种阶段的半导体衬底；

图6A在示意性横截面视图中示出了根据各种实施例的在处理期间的各种阶段的半导体衬底；

图6B在示意性横截面视图中示出了根据各种实施例的在处理期间的各种阶段的半导体衬底；

图7A示出了根据各种实施例的等离子体切割的半导体管芯的图像；

图7B示出了通过锯切来切割的半导体管芯的图像；

图8A示出了根据各种实施例的在半导体管芯之上所形成的烧结金属的图像；

图8B示出了覆盖有镀金属的半导体管芯的图像；

图9A和9B分别在示意性横载面视图中示出了根据各种实施例的的电子器件；以及

图10示出了根据各种实施例的用于处理半导体晶片的方法的示意性流程图。

具体实施方式

下面的详细描述提及所附附图，其作为例证示出了特定细节和在其中本发明可以被实践的实施例。

词“示例性”在本文中用于意指“用作示例、实例或例证”。在本文中被描述为“示例性”的任何实施例和设计不必被解释为对于其他实施例或设计优选或有利。

关于形成“在”侧面或表面“之上”的沉积材料所使用的词“在……之上”在本文中可以用于意指沉积材料可以被“直接形成在暗指的侧面或表面上”，例如与暗指的侧面或表面直接接触。关于形成“在”侧面或表面“之上”的沉积材料所使用的词“在……之上”在本文中可以用于意指沉积材料可以被“间接形成在暗指的侧面或表面上”，其中一个或多个附加层被布置在暗指的侧面或表面与沉积材料之间。