[实用新型]EEPROM工艺中浅沟道隔离凹陷区的定量监测结构有效
| 申请号： | 201520007852.3 | 申请日： | 2015-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN204289435U | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 张学海;李俊;邵长乐 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | eeprom 工艺 沟道 隔离 凹陷 定量 监测 结构 | ||
1.一种EEPROM工艺中浅沟道隔离凹陷区的定量监测结构，其特征在于，包括：
半导体衬底，其中，所述半导体衬底中包括沿两个相互垂直的方向形成多个排列的有源区，所述有源区之间设置有浅沟道隔离；
在所述半导体衬底上方沉积有一多晶硅层，所述有源区与所述多晶硅层之间沉积有栅氧化物。
2.如权利要求1所述的EEPROM工艺中浅沟道隔离凹陷区的定量监测结构，其特征在于，所述多个排列的有源区的宽度相同。
3.如权利要求2所述的EEPROM工艺中浅沟道隔离凹陷区的定量监测结构，其特征在于，所述多个有源区的在两个相互垂直的方向的排列行数相同。
4.如权利要求1所述的EEPROM工艺中浅沟道隔离凹陷区的定量监测结构，其特征在于，所述多晶硅层上设置有多个连接塞。
5.如权利要求1所述的EEPROM工艺中浅沟道隔离凹陷区的定量监测结构，其特征在于，所述半导体衬底为硅衬底。
6.如权利要求1所述的EEPROM工艺中浅沟道隔离凹陷区的定量监测结构，其特征在于，所述浅沟道隔离的材料为氧化物。
7.如权利要求6所述的EEPROM工艺中浅沟道隔离凹陷区的定量监测结构，其特征在于，所述氧化物为二氧化硅。
8.如权利要求7所述的EEPROM工艺中浅沟道隔离凹陷区的定量监测结构，其特征在于，所述浅沟道隔离的厚度在0.5um～1.0um之间。
9.如权利要求1所述的EEPROM工艺中浅沟道隔离凹陷区的定量监测结构，其特征在于，所述栅氧化物的厚度在2nm～10nm之间。
10.如权利要求1所述的EEPROM工艺中浅沟道隔离凹陷区的定量监测结构，其特征在于，所述多晶硅层的厚度在150nm～300nm之间。
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