[实用新型]EEPROM工艺中浅沟道隔离凹陷区的定量监测结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路制造设备技术领域，尤其是一种EEPROM工艺中浅沟道隔离凹陷区的定量监测结构。

背景技术

目前集成电路逐渐被应用到很多领域中，比如计算机、通信、工业控制和消费性电子等。集成电路的制造业，已经成为和钢铁一样的基础产业。

在集成电路的生产制造过程中，半导体器件包括多个形成于有源区上并平行排列的多晶硅栅(Poly)，在形成多晶硅栅的工艺中，其刻蚀工艺往往会有刻蚀残留的问题存在，其中，在EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，带电可擦可编程只读存储器)工艺中，多晶硅栅之间的多晶硅残留会使得STI(Shallow Trench Isolation，浅沟道隔离)产生凹陷，从而形成凹陷区，凹陷区的大小会影响半导体器件的良率。

如图1所示，有源区之间的浅沟道隔离区002与有源区之间会形成凹陷区001，凹陷区的存在会影响有源区的电性能，从而影响半导体器件的良率。

目前常用的方法是通过透射电子显微镜(TEM Cut)来观察STI凹陷区，但没有办法定量测量STI凹陷区的大小。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种EEPROM工艺中浅沟道隔离凹陷区的定量监测结构，可以定量的测量STI凹陷区的大小。

为了达到上述目的，本实用新型提供了一种EEPROM工艺中浅沟道隔离凹陷区的定量监测结构，包括：半导体衬底，其中，所述半导体衬底中包括沿两个相互垂直的方向形成多个排列的有源区，所述有源区之间设置有浅沟道隔离；

在所述半导体衬底上方沉积有一多晶硅层，所述有源区与所述多晶硅层之间沉积有栅氧化物。

优选的，在上述的EEPROM工艺中浅沟道隔离凹陷区的定量监测结构中，所述多个排列的有源区的宽度相同。

优选的，在上述的EEPROM工艺中浅沟道隔离凹陷区的定量监测结构中，所述多晶硅层上设置有多个连接塞。

优选的，在上述的EEPROM工艺中浅沟道隔离凹陷区的定量监测结构中，所述多个有源区在两个相互垂直的方向的排列行数相同。

优选的，在上述的EEPROM工艺中浅沟道隔离凹陷区的定量监测结构中，所述半导体衬底为硅衬底。

优选的，在上述的EEPROM工艺中浅沟道隔离凹陷区的定量监测结构中，所述浅沟道隔离的材料为氧化物。

优选的，在上述的EEPROM工艺中浅沟道隔离凹陷区的定量监测结构中，所述氧化物为二氧化硅。

优选的，在上述的EEPROM工艺中浅沟道隔离凹陷区的定量监测结构中，所述浅沟道隔离的厚度在0.5um～1.0um之间。

优选的，在上述的EEPROM工艺中浅沟道隔离凹陷区的定量监测结构中，所述栅氧化物的厚度在2nm～10nm之间。

优选的，在上述的EEPROM工艺中浅沟道隔离凹陷区的定量监测结构中，所述多晶硅层的厚度在150nm～300nm之间。

在本实用新型提供的EEPROM工艺中浅沟道隔离凹陷区的定量监测结构中，在电性能测试过程中可测得所述栅氧化物的电容，根据所述栅氧化物的厚度可得所述有源区的电性面积；然后根据测得的有源区的关键尺寸，可以得出所述有源区的物理面积，所述有源区的电性面积与物理面积的比值就可定量的描述浅沟道隔离凹陷区的大小。

附图说明

图1为现有技术中产生浅沟道隔离凹陷区的剖视结构示意图；

图2为本实用新型实施例中浅沟道隔离凹陷区的剖视示意图；

图3为本实用新型实施例中EEPROM工艺中浅沟道隔离凹陷区的定量监测结构的俯视图；

图4为沿图3中线A-A’的结构的截面图；

图中：001-浅沟道隔离凹陷区；002-浅沟道隔离；

101-衬底；102-有源区；103-栅氧化物；104-浅沟道隔离；105-多晶硅层；106-浅沟道隔离凹陷区；107-连接塞。

具体实施方式

发明人对现有技术研究发现，多晶硅栅之间的多晶硅残留会使得STI形成凹陷区，由于凹陷区的存在，使得所述有源区的电性面积与物理面积不同，因此，只要得到所述有源区的电性面积与物理面积的大小即可，但是，所述有源区的与物理面积的大小并不能通过常规的尺寸测量的方法测得。