[实用新型]一种防水晶圆干燥箱有效
申请号: | 201520025206.X | 申请日: | 2015-01-14 |
公开(公告)号: | CN204315536U | 公开(公告)日: | 2015-05-06 |
发明(设计)人: | 周鸿飞;徐军;喻畅;钱文明 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;F26B25/00 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 100176 北京市大兴区大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 水晶 干燥箱 | ||
技术领域
本实用新型属于半导体制造领域,涉及一种防水晶圆干燥箱。
背景技术
半导体晶圆对微污染物的存在非常敏感,为了达成晶圆表面无污染物的目标,必须移除表面的污染物并避免在制程前让污染物重新残余在晶圆表面。因此半导体晶圆在制造过程中,需要经过多次的表面清洗步骤,以去除表面附着的金属离子、原子、有机物及微粒。目前晶圆清洗技术大致可分为湿式与干式两大类,仍以湿式清洗法为主流。所谓湿式化学清洗(wet chemical cleaning)技术,是以液状酸碱溶剂与去离子水之混合物清洗晶圆表面,随后加以润湿再干燥的程序。
在半导体湿法制程设备中(如SES公司的清洗设备),需要用到RD2晶圆干燥箱。图1显示为现有晶圆干燥箱的盖体,包括第一遮罩101及第二遮罩102,二者左右水平滑动实现晶圆干燥性的开启和闭合。当机械臂将晶圆从QRD清洗台传送至RD2晶圆干燥箱,由于晶圆上还残留有液体,晶圆上的水会滴落在晶圆干燥箱的盖体上,一旦这些水流到已经干燥好的晶圆上,就会在晶圆上产生高尔夫缺陷(golf defect)。
现有的一种解决方法是在晶圆干燥箱的盖体上设置一挡水板103,如图2所示。但是,这种设计无法挡住所有水滴,仍然无法避免晶圆产生高尔夫缺陷。一般情况下,晶圆干燥箱的盖体每周要清洗一次。并且,当有两个RD2晶圆干燥箱同时工作时,晶圆很容易因为水滴掉落其上而产生高尔夫缺陷。
因此,提供一种新型防水晶圆干燥箱,以更有效地防止水滴掉落在晶圆上,提高产品良率实为必要。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种防水晶圆干燥箱,用于解决现有技术中的晶圆干燥箱不防水,或防水效果不佳,导致干燥好的晶圆再次被水污染,出现高尔夫缺陷的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型提供一种防水晶圆干燥箱,包括干燥箱体及结合于所述干燥箱体上方的盖体,所述盖体由第一遮罩及第二遮罩组成;
所述第一遮罩顶部还结合有第一防水罩及第二防水罩;
所述第一防水罩固定连接于所述第一遮罩顶部;所述第一防水罩为一面开口结构,且所述第一防水罩的开口面向所述第二遮罩;
所述第二防水罩位于所述第一防水罩下方,并通过转轴连接结构活动连接于所述第一遮罩顶部;当所述第一遮罩及第二遮罩背向运动开启时,所述第二防水罩立起位于所述第一防水罩内部,当所述第一遮罩及第二遮罩相向运动闭合时,所述第二防水罩放倒遮盖住所述第一遮罩及第二遮罩之间的空隙。
可选地,所述第二防水罩由第一侧板及第二侧板弯折连接而成,所述第一侧板与第二侧板形成的夹角为60°~120°。
可选地,所述第一侧板的底部通过转轴连接结构连接于所述第一遮罩。
可选地,所述第一侧板与第二侧板的连接处装设有一气体管道,所述气体管道底部具有一缝隙,气体从该缝隙流出,并分别吹向所述第一侧板表面及第二侧板表面。
可选地,所述气体管道为氮气管道。
可选地,所述气体管道分别与第一电磁阀及第二电磁阀连接;当所述第一电磁阀开启时,所述气体管道为第一气体流量;当所述第二电磁阀开启时,所述气体管道为第二气体流量;所述第一气体流量小于第二气体流量。
可选地,所述第二电磁阀与一时间继电器连接,当所述时间继电器导通时,所述第二电磁阀开启预设时间,并在达到该预设时间后关闭。
可选地,所述第一侧板边缘固定连接有一圆盘,所述圆盘与一气缸的活塞杆轴连接,在所述活塞杆的伸缩运动下带动所述第二防水罩放倒或立起。
可选地,所述气缸与控制所述第一、第二遮罩的电磁阀相连接,随着所述第一、第二遮罩的开启控制所述第二防水罩立起,随着所述第一、第二遮罩的闭合控制所述第二防水罩放倒。
可选地,所述气缸与一针阀连接,所述针阀控制进入所述气缸的流量以调节所述第二防水罩立起及放倒速度。
可选地,所述圆盘的圆心位于所述第一侧板底端。
可选地,所述第一防水罩的一侧面具有与所述圆盘相配合的开口,以为所述圆盘及气缸提供活动空间。
可选地,所述第一防水罩底端与所述第一遮罩顶面仅部分连接,其余部分留有空隙,以利于所述第一侧板表面流下的液体从该空隙排出。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造