[实用新型]在PECVD镀膜工艺使用的新型硅烷气路结构有效

申请号：	201520029483.8	申请日：	2015-01-16
公开（公告）号：	CN204417587U	公开（公告）日：	2015-06-24
发明（设计）人：	刘惠文	申请（专利权）人：	北京通嘉宏盛科技有限公司
主分类号：	C23C16/455	分类号：	C23C16/455
代理公司：	无	代理人：	无
地址：	101102 北京***	国省代码：	北京;11
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	pecvd 镀膜工艺使用新型硅烷结构
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【权利要求书】：

1.一种在PECVD镀膜工艺使用的新型硅烷气路结构，其特征在于，由依次连通的第一输气圆管(1)、第二输气圆管(2)与输气方管(3)构成，所述第一输气圆管(1)、所述第二输气圆管(2)与所述输气方管(3)形成阶梯状结构；

所述第一输气圆管(1)为其前端部设有一接头(12)，在所述接头(12)的后侧设有一U形部(11)；

所述第二输气圆管(2)为倒立的U形结构，所述第一输气圆管的后端部与所述第二输气圆管(2)的中部相连通，所述第二输气圆管(2)的两端分别与所述输气方管(3)相连通。

2.根据权利要求1所述的在PECVD镀膜工艺使用的新型硅烷气路结构，其特征在于，所述U形部(11)与所述第一输气圆管(1)、所述第二输气圆管(2)以及所述输气方管(3)处于不同的平面上。

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京通嘉宏盛科技有限公司;，未经北京通嘉宏盛科技有限公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520029483.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。

专利分类

专利文献下载