[实用新型]在PECVD镀膜工艺使用的新型硅烷气路结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种硅烷气路，尤其是一种在PECVD镀膜工艺使用的新型硅烷气路结构。

背景技术

在PECVD镀膜工艺中，经常出现硅烷气体分流不均匀的现象，此种现象容易导致镀膜出现异象，使膜厚不均匀，反射率低，且产品不良率增大，严重时还可能会出现爆炸的现象。

发明内容

针对上述问题中存在的不足之处，本实用新型提供一种可对气体进行均匀的阶梯分流，以使镀膜厚度均匀，反射率增加，减少产品不良品，从而提高电池片整体效率的在PECVD镀膜工艺使用的新型硅烷气路结构。

为实现上述目的，本实用新型提供一种在PECVD镀膜工艺使用的新型硅烷气路结构，由依次连通的第一输气圆管(1)、第二输气圆管(2)与输气方管(3)构成，所述第一输气圆管(1)、所述第二输气圆管(2)与所述输气方管(3)形成阶梯状结构；

所述第一输气圆管(1)为其前端部设有一接头(12)，在所述接头(12)的后侧设有一U形部(11)；

所述第二输气圆管(2)为倒立的U形结构，所述第一输气圆管的后端部与所述第二输气圆管(2)的中部相连通，所述第二输气圆管(2)的两端分别与所述输气方管(3)相连通。

上述的在PECVD镀膜工艺使用的新型硅烷气路结构，其特征在于，所述U形部(11)与所述第一输气圆管(1)、所述第二输气圆管(2)以及所述输气方管(3)处于不同的平面上。

与现有技术相比，本实用新型具有以下优点：

本实用新型通过将硅烷气路设置为阶梯状结构，从而能够对气体进行均匀的阶梯分流，以使镀膜厚度均匀，反射率增加，减少产品不良品，从而提高电池片的整体效率；

通过设置在第一输气圆管前端的U形部，可对输入的气体起到缓存的效果。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为图1的另一视角的结构示意图。

主要附图标记说明如下：

1-第一输气圆管；11-U形部；12-接头；2-第二输气圆管；3-输气方管

具体实施方式

如图1与图2所示，本实用新型由依次连通的第一输气圆管1、第二输气圆管2与输气方管3构成，第一输气圆管1、第二输气圆管2与输气方管3形成阶梯状结构。其中，第一输气圆管1为其前端部设有一接头12，在接头12的后侧设有一U形部11。其中，U形部11与第一输气圆管1、第二输气圆管2以及输气方管3处于不同的平面上。第二输气圆管2为倒立的U形结构，第一输气圆管的后端部与第二输气圆管2的中部相连通，第二输气圆管2的两端分别与输气方管3相连通。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，对发明而言仅仅是说明性的，而非限制性的。本专业技术人员理解，在发明权利要求所限定的精神和范围内可对其进行许多改变，修改，甚至等效，但都将落入本实用新型的保护范围内。