[实用新型]关键尺寸测量标记

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种关键尺寸(CD)测量标记。

背景技术

随着半导体制造工艺的快速发展，半导体芯片的尺寸也越来越小，因此，关键尺寸(Critical Dimension，简称CD)的优劣直接制约着工艺的发展，CD测量不可或缺。

目前常见的CD测量过程包括：粗对准(coarse alignment)、精对准(fine alignment)、图形寻址(pattern addressing)及图形测量(pattern measurement)。

如图1所示，一种常见的CD测量标记包括形成在曝光单元1四个顶角A、B、C、D处的四个标记2，每个标记包括第一标记21和第二标记22，二者皆为90°折线状，且相对设置，一般第一标记21的长度大于第二标记22的长度，每个曝光单元1的相邻顶角处的标记2呈镜像对称，在曝光形成多个曝光单元1后，相邻四个曝光单元1四个顶角处的标记结合成新的测量标记2’，如图2所示，即实际测量时所针对的CD测量标记。

如图2所示，四个第一标记21结合呈一正方形，四个第二标记22结合呈一十字形。在测量过程的精对准时，通过使得存在于程式(recipe)中的已有图形(即虚线框3中所围绕的图形)对齐形成的十字形，来实现精对准，图2中示出的是程式中的图形与十字形精对准的情况。

但是在实际测量时，由于对比度不高等因素，程式中的图形并不容易与十字形对齐，就不可避免的带来误差。而这一误差的大小又很难控制，因此，就会出现图形寻址时发生寻址失败(miss addressing)的情况，这对后续工艺会造成严重影响。

实用新型内容

本实用新型的目的在于，提供一种关键尺寸测量标记，以高效准确的实现关键尺寸测量时的精对准。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种关键尺寸测量标记，包括两个第一标记和两个第二标记，所述第一标记和第二标记交替分布于一曝光单元的四个顶角处，所述第一标记包括第一子标记和第二子标记，所述第二标记包括第三子标记和第四子标记，所述第一子标记、第二子标记、第三子标记和第四子标记均呈直角折线状，并且，所述第一子标记的弯折处具有缺口。

可选的，对于所述的关键尺寸测量标记，所述缺口为正方形缺口。

可选的，对于所述的关键尺寸测量标记，所述缺口的边长等于所述第一子标记的宽度。

可选的，对于所述的关键尺寸测量标记，所述缺口的边长小于所述第一子标记的宽度。

可选的，对于所述的关键尺寸测量标记，所述曝光单元呈正方形。

可选的，对于所述的关键尺寸测量标记，所述曝光单元呈长方形。

可选的，对于所述的关键尺寸测量标记，四个曝光单元相邻顶角处的共两个第一子标记和两个第三子标记组合呈十字形，所述两个第一子标记中的缺口斜对且紧邻。

可选的，对于所述的关键尺寸测量标记，所述第二子标记和第四子标记呈镜像对称，所述四个曝光单元相邻顶角处的共两个第二子标记和两个第四子标记组合呈方环形。

本实用新型提供的CD测量标记，在第一子标记的弯折处具有缺口。相比现有技术，利用本实用新型的CD测量标记，由于第一子标记的弯折处具有缺口，从而有效的增加了对准时的对比度，使得对齐变得容易，提高了精对准的精确度，基本上避免了寻址失败的情况。

附图说明

图1为现有技术中CD测量标记的结构示意图；

图2为现有技术中曝光后在CD测量时的示意图；

图3为本实用新型第一实施例中CD测量标记的结构示意图；

图4为本实用新型第一实施例中在曝光后用于测量时的CD测量标记的示意图；

图5为本实用新型第二实施例中CD测量标记的结构示意图；

图6为本实用新型第二实施例中在曝光后用于测量时的CD测量标记的示意图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本实用新型的关键尺寸(CD)测量标记进行更详细的描述，其中表示了本实用新型的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型，而仍然实现本实用新型的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本实用新型的限制。