[实用新型]一种非晶硅薄膜太阳能电池有效
申请号: | 201520041518.X | 申请日: | 2015-01-21 |
公开(公告)号: | CN204391137U | 公开(公告)日: | 2015-06-10 |
发明(设计)人: | 李毅;孙坚 | 申请(专利权)人: | 深圳市创益新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/075 | 分类号: | H01L31/075;H01L31/0224;H01L31/02 |
代理公司: | 深圳市毅颖专利商标事务所(普通合伙) 44233 | 代理人: | 张艺影 |
地址: | 518057 广东省深圳市龙岗*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 非晶硅 薄膜 太阳能电池 | ||
1.一种非晶硅薄膜太阳能电池,包括基片、前电极图形、 PIN光电转化层、背电极,其特征在于PIN光电转化层完全覆盖在前电极图形ITO透明导电膜层上,前电极图形包括PIN非晶硅P层的前电极,单元电池,还包括有防漏电的隔离区域;PIN非晶硅N层的背电极是金属背电极或碳浆电极中的一种;所说的碳浆电极是有背漆保护层的N层背电极;引出电极铜浆电极覆盖在背漆保护层开口处背漆面和碳浆电极面上。
2. 如权利要求1所述的非晶硅薄膜太阳能电池,其特征在于所说的在背漆保护层露出的碳浆电极面上引出铜浆电极是在背漆保护层预留开口处制备一层铜浆电极层,且铜浆电极面积为一定值,加大铜浆电极与背漆保护层开口处周边接触面,相对减小铜浆电极与碳浆电极的接触面。
3. 如权利要求1所述的非晶硅薄膜太阳能电池,其特征在于所说透明导电膜前电极图形,包括PIN非晶硅P层的前电极,单元电池的前电极,所述隔离区域设置在单元电池相邻节之间,其线宽范围为0.3mm~0.6mm。
4. 如权利要求3所述的非晶硅薄膜太阳能电池,其特征在于所说的PIN非晶硅膜层完全覆盖在导电膜层前电极图形上,是指将PIN非晶硅N层上的碳浆电极层和其上的背漆保护层排除在外。
5. 如权利要求1-4中任何一项所述的非晶硅薄膜太阳能电池,其特征在于所说的前电极导电图形是方形、圆形及其变形,包括PIN非晶硅的前电极,单元电池的前电极形状。
6. 如权利要求5所述的非晶硅薄膜太阳能电池,其特征在于所说的前电极导电图形为圆形透明导电膜层,该膜层为PIN非晶硅层的前电极,单元电池的前电极均为圆形透明前电极导电膜层,在其圆形导电膜周边有绝缘线。
7. 如权利要求6所述的一种非晶硅薄膜太阳能电池,其特征在于所说的前电极为圆形透明导电膜的PIN非晶硅基薄膜太阳能电池,其电池中央有透明视窗。
8. 如权利要求1所述的一种非晶硅薄膜太阳能电池,其特征在于所说的PIN非晶硅层上有通孔,该通孔是激光打孔形成的刻划线,以连接相邻单节电池间正负电极串联通道。
9. 如权利要求1所述的一种非晶硅薄膜太阳能电池,其特征在于所说的PIN非晶硅层通孔是连接相邻单节电池间正负电极串联通道。
10. 如权利要求3所述的一种非晶硅薄膜太阳能电池,其特征在于所说的PIN非晶硅层通孔靠近前电极防漏电的隔离线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的