[实用新型]一种非晶硅薄膜太阳能电池

说明书

技术领域

本实用新型公开一种硅基薄膜太阳能电池的制备技术，属太阳能电池技术领域。确切的说是一种非晶硅太阳能电池技术。

背景技术

     目前，非晶硅薄膜太阳能电池的弱光特性相比同类硅基太阳能电池中突出，所以在实际生活中得到了普遍的应用，特别弱光环境条件下。弱光通常是指光照度在几百至几千LUX 的范围。如中国专利ZL95104992.5发明一种在弱光环境下使用的非晶硅太阳能电池，该发明解决了诸多非晶硅太阳能电池制造中的工艺难题，并简化了工艺，提高了产品良品率，取得了突破性的显著效果。但在非晶硅太阳能电池的实际制造中还存在一些需要进一步改进和优化的地方，具体存在有以下技术问题：一、电池外观表面的麻点，由于ITO 透明导电膜上存在脏污没有清洗去除干净所造成，将会影响太阳能电池或单元电池外观质量，单元电池（由多个单节电池芯片串并联组成）；非晶硅太阳能电池芯片被广泛应用在微功耗小型消费类电子产品上，其对外观质量要求较高，芯片表面不允许有麻点。二、非晶硅膜脱落，是因非晶硅薄膜在玻璃上附着性能差，造成脱模，会导致非晶硅太阳能电池完全失效。三、漏电流大，是指在无光照射情况下，正向施加1.7V直流电压，漏电流远大于0.3微安。四、铜浆电极易脱落，是因铜浆电极附着力差，只有附着力达到0.6公斤及以上，铜浆电极才不易脱落，在批量生产时通常大约有5%的单元电池的铜浆电极附着力达不到0.6公斤，容易脱落。五、电压不稳定，电池电压在不同时间点测试都会发生变化。

发明内容

  通过以上对现有产品存在的技术问题进行的深入研究分析和试验，在此基础上，本实用新型的任务是亟待技术难题，使技术创新更加细化。至此，目的如下：

    本实用新型目的之一，消除非晶硅太阳能电池的前电极导电膜上的麻点，用湿法腐蚀ITO透明导电膜后，采用最新配方，清洗溶液清洗掉ITO 透明导电膜表面的脏污，达到消除麻点的目的。

    本实用新型目的之二，量化太阳能电池前电极图形结构，保留非晶硅PIN四周边沿的导电膜，能够解决非晶硅膜脱落的问题。若前电极图形在四周边沿无透明导电膜PIN膜层容易脱落，并会进一步前电极隔离线上的非晶硅脱落。

     本实用新型的目的之三，亟待解决非晶硅太阳能电池漏电流大的技术难题，采用硅烷和三甲基硼烷适当的流量配比，在保证电池开路电压不变情况下，对非晶硅太阳能电池的P层进行硼与硅掺杂的比值小于1%，就能改变P层内部杂质缺陷密度，漏电流显著减少，电压变得稳定。

     本实用新型的目的之四，亟待降低引出电极的铜浆电极的脱膜率，量化背电极引出端的铜浆电极面积，缩小保护背漆层预留开口面积，减小铜浆电极和碳浆背电极的接触面积，相对增大铜浆电极和保护背漆层的接触面。试验发现铜浆电极在背漆保护层上的附着力比它在碳浆电极上的附着力大，确保铜浆电极附着力达到0.6公斤以上，良品率提高。

     本实用新型目的之五：分析电压不稳定的原因是由以下漏电情况所造成，如：单元电池周边的导电膜的露出，二隔离线暴露在外，三碳浆电极与保护背漆层没有完全重合，碳浆电极边沿暴露在外等原因导致漏电。归根结底，透明导电膜前电极图形及隔离线的量化宽度是关键。例如ITO透明导电膜的隔离线宽度在0.3mm~0.6mm。

 为实现本实用新型任务，提出的具体技术解决方案是：一种非晶硅薄膜太阳能电池，包括基片、前电极图形、 PIN光电转化层、背电极，其技术特征在于PIN光电转化层的前电极至少包括ITO、ZnO,、石墨烯透明导电膜中的一种；PIN光电转化层完全覆盖在前电极图形ITO透明导电膜层上，前电极图形包括PIN非晶硅P层的前电极，单元电池相邻节之间有隔离线；PIN非晶硅N层的背电极是金属背电极或碳浆电极中的一种；所说的碳浆电极是有背漆保护层的N层背电极；引出电极铜浆电极覆盖在背漆保护层开口处背漆面和碳浆电极面上，其铜浆电极的附着力达到0.6公斤以上。

制备方法包括：对PIN非晶硅电的P层掺杂，采用流量配比法控制硅烷和三甲基硼烷流量配比，使硼的掺杂比小于1%，以减少p 层内部杂质缺陷密度，减少漏电流；消除PIN非晶硅电池表面麻点，包括采用丝网印刷制备透明导电膜前电极图形；采用

清洗工艺，包括水清洗，超声波清洗，湿法腐蚀ITO 膜后，配制清洗溶液和清洗工序，清洗ITO 透明导电膜表面的脏污；