[实用新型]一种显示装置、阵列基板及薄膜晶体管

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，依次包括第一栅极、第一栅绝缘层，所述第一栅绝缘层上设有有源层，所述有源层上依次设有第二栅绝缘层、第二栅极、第三栅绝缘层和源漏电极，所述源漏电极在第三栅绝缘层上；

所述有源层与第二栅极相对应的区域的外侧分别为源漏轻掺杂区域和源漏重掺杂区域，其中，源轻掺杂区域和漏轻掺杂区域紧挨第二栅极，源重掺杂区域紧挨所述源轻掺杂区域并且所述漏重掺杂区域紧挨所述漏轻掺杂区域，所述源、漏电极与所述源、漏重掺杂区域电连接；

其中，所述第一栅极设置于所述漏电极所对应区域的漏轻掺杂区域下方或所述第一栅极分为两个部分，分别设置于所述源、漏电极对应区域的轻掺杂区域下方。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层为低温多晶硅。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层为由非晶化的氧化物通过晶化处理后的结晶状态有源层。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第三栅绝缘层和第二栅绝缘层上设有过孔，所述源、漏电极通过过孔与源、漏重掺杂区域接触连接。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极的底部还设有缓冲层。

6.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管。

7.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求6所述的阵列基板。