[实用新型]一种显示装置、阵列基板及薄膜晶体管

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示工艺技术领域，特别涉及一种显示装置、阵列基板、薄膜晶体管。

背景技术

在LCD(液晶显示器)或OLED(有机发光二极管)显示器中，每个像素点都是由集成在像素点后面的TFT(Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管)来驱动，从而可以做到高速度、高亮度、高对比度的显示屏幕信息。在现在的生产技术中，多采用多晶硅或非晶硅来制造TFT。多晶硅的载流子迁移率为10-200cm2/V，明显高于非晶硅的载流子迁移率(1cm2/V)，所以多晶硅相对于非晶硅具有更高的电容性和存储性。

对于LCD和OLED，TFT一般形成于玻璃基板上，由于玻璃的热力学限制，多晶硅TFT的结晶特性及离子注入后退火的过程往往不能得到有效的恢复，则在反偏电压的情况下会出现较大的漏电流，影响TFT的正常使用。

为了抑制TFT的漏电流，一般采用在TFT的栅极和源、漏极间进行轻掺杂的方式，尤其是在一些短沟道的情况下，轻掺杂漏区(Lightly Doped Drain，LDD)的宽度范围仅为0.3-1μm。在TFT正常工作时，往往开态电流会受到影响，导致正常工作的TFT电阻过大，功耗增大。

实用新型内容

(一)所要解决的技术问题

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种显示装置、阵列基板、薄膜晶体管，以克服现有技术中TFT关态电流较强，导致TFT工作时由于LDD结构而导致开态电流降低的TFT结构。

(二)技术内容

为了解决上述技术问题，本实用新型一方面提供一种薄膜晶体管，依次包括第一栅极、第一栅绝缘层，所述第一栅绝缘层上设有有源层，所述有源层上依次设有第二栅绝缘层、第二栅极、第三栅绝缘层和源漏电极，所述源漏电极在第三栅绝缘层上；

所述有源层与第二栅极相对应的区域的外侧分别为源漏轻掺杂区域和源漏重掺杂区域，其中，源轻掺杂区域和漏轻掺杂区域紧挨第二栅极，源重掺杂区域紧挨所述源轻掺杂区域并且所述漏重掺杂区域紧挨所述漏轻掺杂区域，所述源、漏电极与所述源、漏重掺杂区域电连接；

其中，所述第一栅极设置于所述漏电极所对应区域的漏轻掺杂区域下方或所述第一栅极分为两个部分，分别设置于所述源、漏电极对应区域的轻掺杂区域下方。

优选地，所述有源层为低温多晶硅。

优选地，所述有源层为由非晶化的氧化物通过晶化处理后的结晶状态有源层。

优选地，所述第三栅绝缘层和第二栅绝缘层上设有过孔，所述源、漏电极通过过孔与源、漏重掺杂区域接触连接。

优选地，所述第一栅极的底部还设有缓冲层。

另一方面，本实用新型还提供一种阵列基板，包括上述的薄膜晶体管。

再一方面，本实用新型还提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。

(三)有益效果

本实用新型提供一种显示装置、阵列基板、薄膜晶体管，采用顶栅和底栅双栅结构即第二栅极和第一栅极，并且对有源层进行源漏轻掺杂区域和源漏重掺杂区域处理，通过在漏电极所对应区域的漏轻掺杂区域下方设置第一栅极或者在源、漏电极对应区域的轻掺杂区域下方分别设置第一栅极的两个部分，从而降低了TFT关态漏电流，同时通过底栅结构提高TFT开态电流的效果，提高产品良品率。

附图说明

图1～图6为本实用新型实施例一阵列基板制作流程步骤示意图；

图7为本实用新型实施例二阵列基板结构示意图；

图8为本实用新型实施例一阵列基板制作方法流程图。

其中：

1：基板；2：缓冲层；3：第一栅极；4：第一栅绝缘层；5：有源层；6：第二栅绝缘层；7：第二栅极；8：光刻胶；91：源轻掺杂区域；92：源重掺杂区域；101：漏轻掺杂区域；102：漏重掺杂区域；11：第三栅绝缘层；12：源电极；13：漏电极；14：CD偏差。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不是用来限制本实用新型的范围。