[实用新型]安装结构有效

专利信息
申请号: 201520110760.8 申请日: 2013-12-04
公开(公告)号: CN204857920U 公开(公告)日: 2015-12-09
发明(设计)人: 村山博美;道海雄也;向井刚;东端和亮;野村雅人;加藤登 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H01Q1/12 分类号: H01Q1/12;H01Q1/22;H01Q7/00;H01Q1/38
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 张鑫
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 安装 结构
【说明书】:

本实用新型申请是国际申请号为PCT/JP2013/082581,国际申请日为2013年12月04日,进入中国国家阶段的申请号为201390000201.0,名称为“天线模块”的实用新型专利申请的分案申请。

技术领域

本实用新型涉及包括天线元件、IC芯片、以及设置这些元器件的层叠体的天线模块的安装结构。

背景技术

以往,作为这种天线模块,例如,具有以下专利文献1记载的天线模块。该天线模块具备将多个绝缘性基材在规定方向上进行层叠而成的层叠体。在各基材的表面形成有螺旋状的线圈图案。在规定方向上相邻的线圈图案通过通孔导体相连接,从而形成天线元件。此处,在层叠体的一个角落附近进行退避布局以使通孔导体位于该处,除了进行了退避布局的一个角落以外,至少另一个角落未进行退避布局。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本专利第4997779号公报

实用新型内容

实用新型所要解决的问题

各绝缘性基材代表性地由树脂材料、陶瓷材料构成,线圈图案及通孔导体由铜等金属材料构成。一般而言,金属材料与树脂材料、陶瓷材料相比,因热量而引起的形状变化较小。因此,在天线模块的制造工序的一部分即加压、加热工序中,在通孔导体的配置部位容易产生应力。

此外,为了增加线圈图案的匝数,相邻的匝彼此之间的间隔变窄。为了使整个模块薄型化,有时使用更薄的基材。在这样的条件下,在加热工序中,首先基材发生软化,因此,在形状变化较小的通孔导体的影响下,有时会出现在基材上产生变形或裂缝的情况。此外,之后,通孔导体发生软化,若流入基材的变形或裂缝中,则会发生断路,或者在相邻的匝之间引起短路。

因此,本实用新型的目的在于提供一种具有更高可靠性的天线模块。

解决技术问题所采用的技术方案

为了实现上述目的,本实用新型的第1方面在于,天线模块包括:层叠体,该层叠体具有主面并由绝缘性材料构成;IC芯片,该IC芯片设置于所述层叠体;以及天线元件,该天线元件与所述IC芯片相连接,在所述天线模块中,所述天线元件包含:多个线圈图案,该多个线圈图案在规定方向上排列;以及多个通孔导体,该多个通孔导体使在所述规定方向上相邻的两个线圈图案相互电连接,所述多个线圈图案中的至少一个线圈图案具有与所述主面的外边缘实质上平行地卷绕三匝以上的螺旋形状,所述多个通孔导体中的一个通孔导体与所述至少一个线圈图案的外周侧端部相接合,所述多个通孔导体中的另一个通孔导体与该线圈图案的内周侧端部相接合,所述至少一个线圈图案至少具有:第1部分图案,该第1部分图案包含所述外周侧端部;第2部分图案,该第2部分图案与所述第1部分图案平行,并隔开第1线间间隙与该第1部分图案相邻;以及第3部分图案,该第3部分图案与所述第2部分图案平行,并隔开比所述第1线间间隙要小的第2线间间隙与该第2部分图案相邻。

此处,第2方面在于,在第1方面中,所述第1部分图案的线宽比所述第2部分图案及所述第3部分图案的线宽要大。

此外,第3方面在于,在第1方面或第2方面中,所述至少一个线圈图案还具有朝向所述外周侧端部延伸且与所述第1部分图案垂直的第4部分图案,所述第1部分图案的线宽与所述第4部分图案的线宽大致相同。

此外,第4方面在于,在第1方面至第3方面的任一项中,在所述至少一个线圈图案中,与所述外周侧端部相接合的通孔导体和与所述内周侧端部相接合的通孔导体设置在从所述螺旋的卷绕中心观察时大致相同的方向上。

此外,第5方面在于,在第1方面至第4方面的任一项中,所述IC芯片搭载于所述层叠体的主面,所述天线模块还具备对搭载于所述主面的所述IC芯片进行密封的密封层,所述密封层的表面被安装于对象物。

此外,第6方面在于,在第5方面中,在所述天线元件中,离所述对象物相对较近的线圈图案的匝数比离该对象物相对较远的线圈图案的匝数要多。

此外,第7方面在于,在第5方面中,在所述天线元件中,离所述对象物相对较近的线圈图案的匝数比离该对象物相对较远的线圈图案的匝数要少。

此外,第8方面在于,在第5方面至第7方面的任一项中,所述密封层的沿着所述规定方向的厚度比所述层叠体内沿着该规定方向的两端的线圈图案之间的距离要大。

此外,第9方面在于,在第5方面至第8方面的任一项中,所述密封层的介电常数比所述绝缘性基材的介电常数要小。

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