[实用新型]电流源及其阵列、读出电路及放大电路

权利要求书

1.一种镜像电流源，其特征在于，包括：I-V转换单元、V-I转换单元、开关、电容；

所述I-V转换单元第一输入端连接至参考电流源输出端，所述I-V转换单元电压输出端通过开关接V-I转换单元第一输入端，所述I-V转换单元第二输入端接第一电压；

所述电容跨接于所述V-I转换单元第一输入端和所述第一电压之间，所述V-I转换单元第二输入端连接至所述第一电压，所述V-I转换单元电流输出端为所述镜像电流源输出端。

2.根据权利要求1所述的镜像电流源，其特征在于，所述参考电流源包括带隙基准源。

3.根据权利要求1所述的镜像电流源，其特征在于，所述镜像电流源还包括：

控制单元，连接在所述V-I转换单元电流输出端与镜像电流源输出端之间；

所述控制单元输入端连接至所述V-I转换单元电流输出端；

所述控制单元控制端选择性连接至第二电压或第三电压；

所述控制单元输出端连接至所述镜像电流源输出端。

4.根据权利要求3所述的镜像电流源，其特征在于，所述镜像电流源还包括：

第二控制单元；

所述第二控制单元输入端连接至所述参考电流源输出端；

所述第二控制单元输出端连接至所述I-V转换单元输入端；

所述第二控制单元的控制电压输出端连接至所述第二电压。

5.根据权利要求3所述的镜像电流源，其特征在于，所述I-V转换单元包括：

第一NMOS管；所述V-I单元包括：第二NMOS管；

所述第一NMOS管的漏极与栅极共同连接至所述I-V转换单元的第一输入端；

所述第一NMOS管的栅极连接至所述I-V转换单元的电压输出端；

所述第一NMOS管的源极连接至所述I-V转换单元的第二输入端；

所述第二NMOS管的漏极连接至所述V-I转换单元电流输出端；

所述第二NMOS管的栅极连接至所述V-I转换单元第一输入端；

所述第二NMOS管的源极连接至所述V-I转换单元第二输入端。

6.根据权利要求3所述的镜像电流源，其特征在于，所述控制单元包括：第三NMOS管；

第一NMOS管的漏极与栅极共同连接至所述I-V转换单元的第一输入端；

所述第一NMOS管的栅极连接至所述I-V转换单元的电压输出端；

所述第一NMOS管的源极连接至所述I-V转换单元的第二输入端；

第二NMOS管的漏极连接至所述V-I转换单元电流输出端；

所述第二NMOS管的栅极连接至所述V-I转换单元第一输入端；

所述第二NMOS管的源极连接至所述V-I转换单元第二输入端；

所述第三NMOS管的源极连接至所述控制单元输入端；

所述第三NMOS管的栅极连接至所述控制单元控制端；

所述第三NMOS管的漏极连接至所述控制单元输出端。

7.根据权利要求5或6所述的镜像电流源，其特征在于，所述第一电压包括：地。

8.根据权利要求6所述的镜像电流源，其特征在于，所述第二电压高于所述第三电压。

9.根据权利要求5或6所述的镜像电流源，其特征在于，用PMOS管替代NMOS管。

10.根据权利要求9所述的镜像电流源，其特征在于，所述第一电压由所述PMOS管决定。

11.根据权利要求9所述的镜像电流源，其特征在于，所述第二电压低于所述第三电压。

12.一种镜像电流源阵列，其特征在于，包括：参考电流源、I-V转换单元、N个V-I转换单元、N个开关、N个电容，N为大于等于2的自然数；

所述I-V转换单元第一输入端连接至所述参考电流源输出端，所述I-V转换单元电压输出端通过第n开关接至第n个V-I转换单元第一输入端，1≤n≤N，所述I-V转换单元第二输入端连接至第一电压；

第n所述电容跨接于第n个所述V-I转换单元第一输入端和所述第一电压之间，每个所述V-I转换单元第二输入端连接至第一电压，第n个所述V-I转换单元电流输出端接所述镜像电流源阵列第n输出端。