[实用新型]电流源及其阵列、读出电路及放大电路有效

专利信息
申请号: 201520110997.6 申请日: 2015-02-15
公开(公告)号: CN204595666U 公开(公告)日: 2015-08-26
发明(设计)人: 乔劲轩;李鹏 申请(专利权)人: 格科微电子(上海)有限公司
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26;H03F1/26
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 潘彦君;骆苏华
地址: 201203 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 电流 及其 阵列 读出 电路 放大
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及电子领域,尤其涉及一种电流源及其阵列、读出电路及放大电路。

背景技术

镜像电流源是一种常见的偏置电路,将输入支路的电流复制到输出支路,为其他子系统提供电流偏置。将输入支路的电流复制到输出支路的过程,是通过电流与控制端电压一一对应的器件来完成的,也就是通过I-V转换单元和V-I转换单元将参考电流源的电流复制到输出支路。图1是一种现有的镜像电流源,由参考电流源11、第一MOS管121和第二MOS管122构成,其中第一MOS管121完成I-V转换单元的功能,第二MOS管122完成V-I转换单元的功能,镜像电流通过第一输出端p1输出。

镜像电流源应用广泛,但简单的利用如图1所示的镜像电流源进行偏置,会引入参考电流源及晶体管的噪声。

实用新型内容

本实用新型实施例解决的问题是如何减少参考电流源的噪声干扰。

为解决上述问题,本实用新型提供一种镜像电流源,所述镜像电流源包括:I-V转换单元、V-I转换单元、开关、电容;

所述I-V转换单元第一输入端连接至所述参考电流源输出端,所述I-V转换单元电压输出端通过开关接V-I转换单元第一输入端,所述I-V转换单元第二输入端接第一电压;

所述电容跨接于所述V-I转换单元第一输入端和所述第一电压之间,V-I转换单元第二输入端连接至第一电压,所述V-I转换单元电流输出端为所述镜像电流源输出端。

可选的,所述参考电流源包括带隙基准源。

可选的,所述镜像电流源还包括:

控制单元,连接在所述V-I转换单元电流输出端与镜像电流源输出端之间;

所述控制单元输入端连接至所述V-I转换单元电流输出端;

所述控制单元控制端选择性连接至第二电压或第三电压;

所述控制单元输出端连接至所述镜像电流源输出端。

可选的,所述镜像电流源还包括:第二控制单元;

所述第二控制单元输入端连接至所述参考电流源输出端;

所述第二控制单元输出端连接至所述I-V转换单元输入端;

所述第二控制单元的控制电压输出端连接至所述第二电压。

可选的,所述I-V转换单元包括:

第一NMOS管;所述V-I单元包括:第二NMOS管;

所述第一NMOS管的漏极与栅极共同连接至所述I-V转换单元的第一输入端;

所述第一NMOS管的栅极连接至所述I-V转换单元的电压输出端;

所述第一NMOS管的源极连接至所述I-V转换单元的第二输入端;

所述第二NMOS管的漏极连接至所述V-I转换单元电流输出端;

所述第二NMOS管的栅极连接至所述V-I转换单元第一输入端;

所述第二NMOS管的源极连接至所述V-I转换单元第二输入端。

可选的,所述控制单元包括:第三NMOS管;

第一NMOS管的漏极与栅极共同连接至所述I-V转换单元的第一输入端;

所述第一NMOS管的栅极连接至所述I-V转换单元的电压输出端;

所述第一NMOS管的源极连接至所述I-V转换单元的第二输入端;

第二NMOS管的漏极连接至所述V-I转换单元电流输出端;

所述第二NMOS管的栅极连接至所述V-I转换单元第一输入端;

所述第二NMOS管的源极连接至所述V-I转换单元第二输入端;

所述第三NMOS管的源极连接至所述控制单元输入端;

所述第三NMOS管的栅极连接至所述控制单元控制端;

所述第三NMOS管的漏极为所述控制单元输出端。

可选的,所述第一电压包括:地。

可选的,所述第二电压高于所述第三电压。

可选的,用PMOS管替代NMOS管。

可选的,所述第一电压由所述PMOS管决定。

可选的,所述第二电压低于所述第三电压。

本实用新型实施例还提供一种镜像电流源阵列,所述镜像电流源阵列还包括:参考电流源、I-V转换单元、N个V-I转换单元、N个开关、N个电容,N为大于等于2的自然数;

所述I-V转换单元第一输入端连接至所述参考电流源输出端,所述I-V转换单元电压输出端通过第n开关接至第n个V-I转换单元第一输入端,1≤n≤N,所述I-V转换单元第二输入端连接至第一电压;

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