[实用新型]薄膜晶体管基板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，其特征是，所述薄膜晶体管基板包括：

基板；

设置在所述基板上的第一薄膜晶体管，包括多晶半导体层、在所述多晶半导体层上的第一栅极电极、第一源极电极以及第一漏极电极；

设置在所述基板上的第二薄膜晶体管，包括第二栅极电极、在所述第二栅极电极上的氧化物半导体层、第二源极电极以及第二漏极电极；以及

包括氮化物层及在所述氮化物层上的氧化物层的中间绝缘层，所述中间绝缘层设置在第一栅极电极和第二栅极电极之上并在所述氧化物半导体层之下。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，还包括覆盖所述多晶半导体层的栅极绝缘层。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其中所述第一栅极电极和第二栅极电极形成在所述栅极绝缘层上。

4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板，

其中所述第一源极电极设置在中间绝缘层上，并通过贯穿中间绝缘层和栅极绝缘层的源极接触孔连接到多晶半导体层的一部分，

其中所述第一漏极电极设置在中间绝缘层上，并通过贯穿中间绝缘层和栅极绝缘层的漏极接触孔连接到多晶半导体层的另一部分，

其中所述第二源极电极接触所述中间绝缘层上的氧化物半导体层的一部分，以及

其中所述第二漏极电极接触所述中间绝缘层上的氧化物半导体层的另一部分。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，

其中所述氮化物层和氧化物层的每一个都具有至的厚度。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中所述中间绝缘层还包括在氮化物层之下和在第一及第二栅极电极之上的下氧化物层。

7.一种薄膜晶体管基板，其特征是，所述薄膜晶体管基板包括：

基板；

设置在基板上的包括多晶半导体材料的第一半导体层；

覆盖第一半导体层的栅极绝缘层；

设置在栅极绝缘层上并与第一半导体层重叠的第一栅极电极；

设置在栅极绝缘层上的第二栅极电极；

中间绝缘层，包括氮化物层及在所述氮化物层上的氧化物层，所述中间绝缘层覆盖第一栅极电极和第二栅极电极；

设置在中间绝缘层上的包括氧化物半导体材料的第二半导体层，所述第二半导体层与第二栅极电极重叠；

设置在中间绝缘层上的第一源极电极和第一漏极电极；以及

设置在第二半导体层上的第二源极电极和第二漏极电极。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管基板，

其中所述第一源极电极通过贯穿中间绝缘层和栅极绝缘层的源极接触孔连接到第一半导体层的一部分，

其中所述第一漏极电极通过贯穿中间绝缘层和栅极绝缘层的漏极接触孔连接到第一半导体层的另一部分，

其中所述第二源极电极接触第二半导体层的一部分，以及

其中所述第二漏极电极接触第二半导体层的另一部分。

9.根据权利要求7所述的薄膜晶体管基板，

其中所述氮化物层和氧化物层的每一个都具有至的厚度。

10.根据权利要求7所述的薄膜晶体管基板，其中所述中间绝缘层还包括在氮化物层之下和在第一及第二栅极电极之上的下氧化物层。