[实用新型]薄膜晶体管基板

说明书

技术领域

本申请涉及一种在相同基板上具有两种不同类型的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置。

背景技术

如今，随着信息化社会的发展，针对用以显示信息的显示装置的需求正在增加。因此，开发了多种平板显示装置(或FPD)以克服阴极射线管(或CRT)的缺点，例如重量高及体积大。平板显示装置包括液晶显示装置(或LCD)、等离子显示面板(或PDP)、有机发光显示装置(或OLED)以及电泳显示装置(或ED)。

平板显示装置的显示面板可以包括在以矩阵方式排列的像素区域内设置有薄膜晶体管的薄膜晶体管基板。例如，液晶显示装置(或LCD)通过利用电场控制液晶层的光透射率以表现视频数据。有机发光二极管显示装置的以矩阵方式设置的每一像素中形成了有机发光二极管，因此有机发光二极管显示装置通过产生正确受控的光以表现视频数据。

作为自发光显示装置，有机发光二极管显示装置具有响应速度非常快、亮度非常高及视角大的优点。利用了能量效率优异的有机发光二极管的有机发光二极管显示装置(或OLED)可分为无源矩阵型的有机发光二极管显示装置(或PMOLED)和有源矩阵型的有机发光二极管显示装置(或AMOLED)。

随着个人用电子装置更为普遍，正在积极开发携带性及/或穿戴性的装置。为了将显示装置应用于携带用和/或可穿戴装置中，所述装置具有低消耗功率的特性。然而，利用目前为止开发的技术，在获得低消耗功率特性优异的装置方面存在有限制。

实用新型内容

为了克服上述缺陷，本申请的目的在于提供一种用于平板显示装置的薄膜 晶体管基板，该薄膜晶体管基板在相同的基板上具有至少两种特性彼此不同的薄膜晶体管。本申请的另一目的在于提供一种用于平板显示装置的薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板具有通过最优化的制造工艺及最少化的掩模工艺来形成的两种不同类型的薄膜晶体管。

为了实现所述目的，本申请提出一种薄膜晶体管基板，其包括：基板；设置在所述基板上的第一薄膜晶体管，包括多晶半导体层、在所述多晶半导体层上的第一栅极电极、第一源极电极以及第一漏极电极；设置在所述基板上的第二薄膜晶体管，包括第二栅极电极、在所述第二栅极电极上的氧化物半导体层、第二源极电极以及第二漏极电极；以及包括氮化物层及在所述氮化物层上的氧化物层的中间绝缘层，所述中间绝缘层设置在所述第一栅极电极和第二栅极电极之上并在所述氧化物半导体层之下。

在一实施例中，所述薄膜晶体管基板还包括覆盖所述多晶半导体层的栅极绝缘层。

在一实施例中，所述第一栅极电极和第二栅极电极形成在所述栅极绝缘层上。

在一实施例中，所述第一源极电极设置在中间绝缘层上，并通过贯穿中间绝缘层和栅极绝缘层的源极接触孔连接到多晶半导体层的一部分，所述第一漏极电极设置在中间绝缘层上，并通过贯穿中间绝缘层和栅极绝缘层的漏极接触孔连接到多晶半导体层的另一部分，所述第二源极电极接触所述中间绝缘层上的氧化物半导体层的一部分，所述第二漏极电极接触所述中间绝缘层上的氧化物半导体层的另一部分。

在一实施例中，所述氮化物层和氧化物层的每一个都具有至的厚度。

而且，本申请提出一种薄膜晶体管基板，其包括：基板；设置在基板上的包括多晶半导体材料的第一半导体层；覆盖第一半导体层的栅极绝缘层；设置在栅极绝缘层上并与第一半导体层重叠的第一栅极电极；设置在栅极绝缘层上的第二栅极电极；中间绝缘层，包括氮化物层及在所述氮化物层上的氧化物层，所述中间绝缘层覆盖第一栅极电极和第二栅极电极；设置在中间绝缘层上的包括氧化物半导体材料的第二半导体层，所述第二半导体层与第二栅极电极重叠；设置在中间绝缘层上的第一源极电极和第一漏极电极；以及设置在第二半 导体层上的第二源极电极和第二漏极电极。

在一实施例中，所述第一源极电极通过贯穿中间绝缘层和栅极绝缘层的源极接触孔连接到第一半导体层的一部分，所述第一漏极电极通过贯穿中间绝缘层和栅极绝缘层的漏极接触孔连接到第一半导体层的另一部分，所述第二源极电极接触第二半导体层的一部分，所述第二漏极电极接触第二半导体层的另一部分。

在一实施例中，所述氮化物层和氧化物层的每一个都具有至的厚度。

在一实施例中，所述中间绝缘层还包括在氮化物层之下和在第一及第二栅极电极之上的下氧化物层。