[实用新型]一种半导体用金属基板厚度测量仪

权利要求书

1.一种半导体用金属基板厚度测量仪，其特征在于，包括：

下部支座(30)，其沿着竖直框架(10)升降；

上部加压台(50)，其在所述下部支座(30)的上部，沿着竖直框架(10)进行升降；

测量部(60)，其包括下部接触尖端(P1)和上部接触尖端(P2)，测量所述下部接触尖端(P1)上端与上部接触尖端(P2)下端之间的距离；

如果被测量体位于所述下部支座(30)与上部加压台(50)之间，那么，下部接触尖端(P1)与上部接触尖端(P2)接触被测量体的上下面，测量部(60)测量距离。

2.根据权利要求1所述的半导体用金属基板厚度测量仪，其特征在于，还包括：

竖直框架(10)，其在下部的底座(B)上向上直立地形成；

第1下部升降块(20)，其位于所述竖直框架(10)的下部前方，借助于第1空压驱动部(21)而沿第1导轨(R1)升降；

所述下部支座(30)上形成有下部接触尖端通过槽(30a)，所述下部支座(30)加装于所述第1下部升降块(20)的前方，支撑所述被测量体(S)的下面；

第2上部升降块(40)，其位于所述竖直框架(10)的上部前方，借助于第2空压驱动部(41)而沿第2导轨升降,所述第2导轨竖直设置于竖直框架(10)上；

上部加压台(50)，其形成有上部接触尖端通过槽(50a)，加装于所述第2上部升降块(40)的前方，加压把持所述被测量体(S)的上面；

第2竖直框架(15)，其在所述底座(B)上向上直立地形成，

第3导轨(R3)，其竖直设置于第2竖直框架(15)上；

测量部升降块(70)，其在搭载所述测量部(60)的状态下，借助于第3空压驱动部(71)而沿着第3导轨(R3)升降；

上部接触尖端升降部(80)，其由固定于所述测量部升降块(70)并与所述测量部升降块(70)一同一体移动的第4空压驱动部(81)、借助于所述第4空压驱动部(81)而升降并使所述上部接触尖端(P2)升降的上部接触尖端把持部(85)构成。

3.根据权利要求2所述的半导体用金属基板厚度测量仪，其特征在于，

还包括使被测量体(S)位于所述下部支座(30)的上面与所述上部加压台(50)下面之间的三自由度移送部(90)；

所述三自由度移送部(90)包括：

横向轨(91-R)，其横向安装于所述底座(B)上；

横向往复块(91-B)，其沿所述横向轨(91-R)横向移动；

纵向轨(93-R)，其在所述横向往复块(91-B)的上面并与横向垂直地安装；

纵向往复块(93-B)，其沿所述纵向轨(93-R)纵向移动；

旋转支撑件(95-R)，其利用轴承(B1)可旋转地直立向上安装于纵向往复块(93-B)上；

被测量体支撑板(95-B)，其搭载于所述旋转支撑件(95-R)的上部。

4.根据权利要求2所述的半导体用金属基板厚度测量仪，其特征在于，

所述竖直框架(10)与第2竖直框架(15)相互平行地在底座(B)上向上直立地形成且所述第2竖直框架(15)位于所述竖直框架(10)后方；

所述测量部升降块(70)包括：

竖直主体部(70a)，其沿第2竖直框架(15)升降；

下部接触尖端安放部(70b)，其经过所述竖直框架(10)和第1下部升降块通过槽(20a)，从所述竖直主体部(70a)的下部向前方凸出。

5.根据权利要求4所述的半导体用金属基板厚度测量仪，其特征在于，

在所述竖直框架(10)或第2竖直框架(15)之一上，向前方形成有支撑棱(14)；

所述支撑棱(14)和下部接触尖端安放部(70b)的下部之间设置为下部接触尖端安放部(70b)提供复原力的复原弹簧(S1)。