[实用新型]一种半导体用金属基板厚度测量仪有效
申请号: | 201520133796.8 | 申请日: | 2015-03-10 |
公开(公告)号: | CN204666118U | 公开(公告)日: | 2015-09-23 |
发明(设计)人: | 表基弘 | 申请(专利权)人: | 阿博株式会社 |
主分类号: | G01B21/08 | 分类号: | G01B21/08 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 苏雪雪 |
地址: | 韩国忠清南道牙*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 金属 厚度 测量仪 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种在通常具有0.5~10mm范围的设计厚度并在平板全部地点要求微米单位的精密度的半导体用金属基板厚度测量仪。
背景技术
公开专利特1996-0028718号提供了一种基板厚度测量装置,具备:传送机框架,其由相互相向的上部及下部水平构件和相互连接它们的竖直构件构成;弹簧,其一端固定于所述上部水平构件的底面;基板固定用板,其安装于所述上下部水平构件之间,所述弹簧的另一端固定于上面;支撑基座,其提供有支撑印刷电路基板的底面的多个支撑销,能够使所述印刷电路基板相对于所述基板固定用板的底面而上升、贴紧;缸,其使所述支撑基座上升运动既定高度;及距离感知传感器,其安装于所述上部水平构件的上部一侧,能够向配置于所述支撑销与所述基板固定用板之间的印刷电路基板的上部照射激光束并测量距离;使得能够根据印刷电路基板的厚度而调节贴装机头部的下降距离。
在半导体领域,散热特性优于原有塑料材质PCB基板的金属(特别是铝)基板的使用呈增加趋势,由于在半导体基板特性上,在5~30cm级别平面的全部地点中,厚度允许误差应在数微米以内,因此在厚度加工后,要求在金属平板上的基板的多地点进行精密厚度测量,但由于平板的弯曲等,在各地点进行精密检测厚度方面存在困难。
实用新型内容
(要解决的技术问题)
本实用新型旨在提供一种半导体用金属基板厚度测量仪,能够迅速、精密地测量例如横向纵向5~30cm左右、厚度0.5~10mm范围级别的半导体金属基板的多地 点(例如6~8点)厚度。
本实用新型旨在提供一种半导体用金属基板厚度测量仪,能够在半导体用金属基板生产后的全数或抽样尺寸检查工序中,迅速、正确地测量平板的一个地点的厚度,在其它地点的厚度测量过程中,能够容易、迅速地移动位置。
(解决问题的手段)
一种半导体用金属基板厚度测量仪,其特征在于,包括:
下部支座,其沿着竖直框架升降;
上部加压台,其在所述下部支座的上部,沿着竖直框架进行升降;
测量部,其包括下部接触尖端和上部接触尖端,测量所述下部接触尖端上端与上部接触尖端下端之间的距离;
如果被测量体位于所述下部支座与上部加压台之间,那么,下部接触尖端与上部接触尖端接触被测量体的上下面,测量部测量距离。
竖直框架,其在下部的底座上向上直立地形成;
第1下部升降块,其位于所述竖直框架的下部前方,借助于第1空压驱动部而沿第1导轨升降;
所述下部支座上形成有下部接触尖端通过槽,所述下部支座加装于所述第1下部升降块的前方,支撑所述被测量体的下面;
第2上部升降块,其位于所述竖直框架的上部前方,借助于第2空压驱动部而沿第2导轨升降,所述第2导轨竖直设置于竖直框架上;
上部加压台,其形成有上部接触尖端通过槽,加装于所述第2上部升降块的前方,加压把持所述被测量体的上面;
第2竖直框架,其在所述底座上向上直立地形成,
第3导轨,其竖直设置于第2竖直框架上;
测量部升降块,其在搭载所述测量部的状态下,借助于第3空压驱动部而沿着第3导轨升降;
上部接触尖端升降部,其由固定于所述测量部升降块并与所述测量部升降块一同一体移动的第4空压驱动部、借助于所述第4空压驱动部而升降并使所述上部接触尖 端升降的上部接触尖端把持部构成。
(实用新型的效果)
根据本实用新型,提供一种半导体用金属基板厚度测量仪,能够迅速、精密地测量例如横向纵向5~30cm左右、厚度0.5~10mm范围级别的半导体金属基板的多地点(例如6~8点)厚度。
根据本实用新型,提供了一种半导体用金属基板厚度测量仪,能够在半导体用金属基板生产后的全数或抽样尺寸检查工序中,迅速、正确地测量平板的一个地点的厚度,在其它地点的厚度测量过程中,能够容易、迅速地移动位置。
附图说明
图1是本实用新型一个实施例的半导体用金属基板厚度测量仪整体立体图。
图2是本实用新型一个实施例的半导体用金属基板厚度测量仪立体图。
图3是本实用新型一个实施例的半导体用金属基板厚度测量仪主视图。
图4是本实用新型一个实施例的半导体用金属基板厚度测量仪侧视图。
图5(a,b,c)是本实用新型一个实施例的半导体用金属基板厚度测量仪运转状态图(初始位置、下部支座及上部加压板加压状态、下部接触尖端及上部接触尖端接触状态)。
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