[实用新型]一种电流可复用低功耗射频前端接收电路

权利要求书

1.一种电流可复用低功耗射频前端接收电路，其特征在于：包括依次连接的

低噪声放大器：所述低噪声放大器采用源极负反馈电感共源级结构，为双平衡混频器开关对提供偏置电流；

混频器：为双平衡混频器，也就是Gilbert混频器；

压控振荡器：两组双平衡的交叉耦合NMOS管提供振荡网络所需基本负阻电路结构，与电感、可变电容组成压控振荡器，同时又接两组开关对的源极，将进行混频的本振信号注入。

2.根据权利要求1所述的电流可复用低功耗射频前端接收电路，其特征在于：所述低噪声放大器包括第一电感L1、第二电感L2、第一晶体管M1、与第一晶体管M1的栅极和源极并联的第一电容C1、第二晶体管M2、与第二晶体管M2的栅极和源极并联的第二电容C2、与第一电容C1一端串联的第三电感L3以及与第二电容C2一端串联的第四电感L4；第一电感L1和第二电感L2一端分别接第一晶体管M1和第二晶体管M2的源极，第一电感L1和第二电感L2的另一端均接地；第三电感L3和第四电感L4一端分别接第一晶体管M1和第二晶体管M2的栅极。

3.根据权利要求1所述的电流可复用低功耗射频前端接收电路，其特征在于：所述双平衡混频器包括第三晶体管M3、第四晶体管M4、第五晶体管M5、第六晶体管M6、中频负载If load和第三电容C3；第三晶体管M3的源极接第四晶体管M4的源极，第五晶体管M5的源极接第六晶体管M6的源极；第三晶体管M3的漏极接第五晶体管M5的漏极，第四晶体管 M4的漏极接第六晶体管M6的漏极；第四晶体管M4和第五晶体管M5的栅极相连，接压控振荡器的振荡频率输出LO-；第三晶体管M3的栅极与第六晶体管M6的栅极相连，接压控振荡器频率输出LO+；中频负载结构Ifload的两端分别并联在第三晶体管M3和第六晶体管M6的漏极；第三电容C3并联在所述中频负载的两端；所述中频负载的两端为中频信号的输出端IF+和IF-。

4.根据权利要求3所述的电流可复用低功耗射频前端接收电路，其特征在于：所述压控振荡器包括第五电容C5、第六电容C6、可变电容Cv、第七晶体管M7、第八晶体管M8、第九晶体管M9和第十晶体管M10；第八晶体管M8的栅极接第七晶体管M7的漏极，第七晶体管M7的栅极接第八晶体管M8的漏极；第十晶体管M10的栅极接第九晶体管M9的漏极，第九晶体管M9的栅极接第十晶体管M10的漏极；第七晶体管M7的源极和第八晶体管M8的源极相连接第三电容C3的一端，第九晶体管M9的源极和第十晶体管M10的源极相连接第三电容C3的另一端；第七晶体管M7的漏极和第九晶体管M9的漏极相连接可变电容Cv的一端；第八晶体管M8的漏极和第十晶体管M10的漏极相连接可变电容Cv的另一端；第五电感L5和第六电感L6的一端分别接可变电容Cv的两个极板，第五电感L5和第六电感L6的另一端均接电源电压。