[实用新型]一种电流可复用低功耗射频前端接收电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及的是一种射频前端接收电路，具体涉及的是一种电流可复用低功耗的低噪声放大器、混频器以及压控振荡器的融合结构，适用于低电压、低功耗射频接收机前端电路。

背景技术

随着消费电子以及其他随身应用的进一步发展，许多通信系统进一步的集成在方寸之间，因而要求在尽可能小的面积中集成更多功能，同时各模块的功能需要达到一定的应用要求。对于射频前端结构，实现低功耗的方法之一就是使不同的模块采用同一偏执电流。在单个电路模块中，对低噪声放大，正交下变频以及本振信号的产生功能实现集成。射频输入、本振信号以及下变频后的中频信号均为电路的内部信号，大幅度的降低了功耗。

实用新型内容

针对现有技术上存在的问题与不足，本实用新型目的是在于提供一种电流可复用低功耗的射频前端接收电路，即仅用一路电流供多个模块使用以降低功耗并减小电路面积。对于每个模块，电流足够保证其性能；而对于多个模块在不严重恶化性能的前提下，电路具有工作电压低、功耗小的特点。

为了实现上述目的，本实用新型是通过如下的技术方案来实现的：

一种电流复用低功耗射频前端接收电路包括低噪声放大器，混频器以及压控振荡器。

一种电流复用低功耗射频前端接收电路，其特征在于：包括依次连接的

低噪声放大器：所述低噪声放大器采用源极负反馈电感共源级结构，为双平衡混频器开关对提供偏置电流；

混频器：为双平衡混频器，也就是Gilbert混频器；具体就是对单平衡混频器结构进行改进形成的双平衡混频器，即Gilbert混频器，与双平衡压控振荡器负载结合可以解决本振泄露的问题，同时增加了本振信号的振幅从而改善电路的噪声系数；

压控振荡器：两组双平衡的交叉耦合NMOS管提供振荡网络所需基本负阻电路结构，与电感、可变电容组成压控振荡器，同时又接两组开关对的源极，将进行混频的本振信号注入。

其中，所述低噪声放大器的NMOS管M1的漏极连接混频器中NMOS管M3源极，所述低噪声放大器的NMOS管M2的漏极连接双平衡混频器中NMOS管M5源极。所述压控振荡器的NMOS管M7和M8的源极接混频器种NMOS管M3和M5的漏极，所述压控振荡器的NMOS管M9和M10的源极接混频器种NMOS管M4和M6的漏极。

在上述的电流复用低功耗射频前端接收电路，所述低噪声放大器包括第一电感L1、第二电感L2、第一晶体管M1、与第一晶体管M1的栅极和源极并联的第一电容C1、第二晶体管M2、与第二晶体管M2的栅极和源极并联的第二电容C2、与第一电容C1一端串联的第三电感L3以及与第二电容C2一端串联的第四电感L4；第一电感L1和第二电感L2一端分别接第一晶体管M1和第二晶体管M2的源极，第一电感L1和第二电感L2的另一端均接地；第三电感L3和第四电感L4一端分别接第一晶体管M1和第二晶体管M2的栅极。

在上述的电流复用低功耗射频前端接收电路，所述双平衡混频器包括第三晶体管M3、第四晶体管M4、第五晶体管M5、第六晶体管M6、中频负载If load和第三电容C3；第三晶体管M3的源极接第四晶体管M4的源极，第五晶体管M5的源极接第六晶体管M6的源极；第三晶体管M3的漏极接第五晶体管M5的漏极，第四晶体管M4的漏极接第六晶体管M6的漏极；第四晶体管M4和第五晶体管M5的栅极相连，接压控振荡器的振荡频率输出LO-；第三晶体管M3的栅极与第六晶体管M6的栅极相连，接压控振荡器频率输出LO+；中频负载结构If load的两端分别并联在第三晶体管M3和第六晶体管M6的漏极；第三电容C3并联在所述中频负载的两端；所述中频负载的两端为中频信号的输出端IF+和IF-。