[实用新型]PIP电容和嵌入式快闪存储器有效
| 申请号： | 201520138365.0 | 申请日： | 2015-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN204407324U | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 杨震 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | pip 电容 嵌入式 闪存 | ||
1.一种PIP电容，其特征在于，包括：形成于衬底上的第一多晶硅层；形成于所述第一多晶硅层上的第一绝缘介质层；形成于所述第一绝缘介质层上的第二多晶硅层；其中，所述第二多晶硅层的侧面包围所述第一多晶硅层的侧面。
2.如权利要求1所述的PIP电容，其特征在于，所述第一绝缘介质层完全覆盖所述第一多晶硅层并延伸至所述衬底上。
3.如权利要求2所述的PIP电容，其特征在于，所述第二多晶硅层完全覆盖所述第一绝缘介质层。
4.如权利要求1所述的PIP电容，其特征在于，所述第一绝缘介质层包括第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层，所述氮化硅层位于所述第一氧化硅层和第二氧化硅层之间。
5.如权利要求1所述的PIP电容，其特征在于，所述第二多晶硅层的侧面与所述第一绝缘介质层的侧面的间距在1微米以上。
6.如权利要求1所述的PIP电容，其特征在于，还包括：形成于所述第一多晶硅层上的第一接触孔，所述第一接触孔贯穿所述第一绝缘介质层和第二多晶硅层并暴露出所述第一多晶硅层。
7.如权利要求1所述的PIP电容，其特征在于，还包括：形成于所述第二多晶硅层上的第二绝缘介质层和第二接触孔，所述第二接触孔贯穿所述第二绝缘介质层并暴露出所述第二多晶硅层。
8.如权利要求1所述的PIP电容，其特征在于，所述第一多晶硅层是所述PIP电容的下电极，所述第二多晶硅层是所述PIP电容的上电极。
9.一种嵌入式快闪存储器，其特征在于，包括：如权利要求1至8中任一项所述的PIP电容。
10.如权利要求9所述的嵌入式快闪存储器，其特征在于，所述嵌入式快闪存储器为嵌入式P型快闪存储器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;，未经中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520138365.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种具有多层LED芯片的LED
- 下一篇：一种晶片分离器
