[实用新型]晶片研磨抛光盘同心构造

说明书

技术领域

本实用新型为一种研磨抛光盘的技术领域，尤其指一种复合式研磨抛光盘，主要的研磨抛光层是由两种不同材料以特殊型态分布而成。

背景技术

晶片在单晶长成后经过切片、研磨、抛光等制程，才能成为半导体或光电组件重要的基板。目前抛光及研磨制程中，研磨抛光定盘的选用主要分成两大类:1.纯金属，以纯铜、纯锡等为主，2.树脂混合金属:例如树脂铜盘、树脂锡盘等等。

在提高产量、提升良率、降低成本的目标下，研磨抛光定盘的考虑条件必须要有高移除率、低平坦度、低刮伤等三项基本要求。在不断测试演进下，现阶段产业中采用以树脂铜盘为大宗。但，树脂铜盘材质导热性质不佳，随着蓝宝石晶片尺寸加大，设备及定盘尺寸随之放大的情况下，加工过程中产生的热量无法有效与制冷机构进行热交换，故树脂铜盘的变形量因热加剧而显得不易控制，晶片的平坦度相对无法有效收敛于规格之内，加上有蜡式制程中对加工温度的种种限制，于是设计一套具有导热效果、并维持原硬抛制程要求的『高移除率、低平坦度、低刮伤』的特性，为当今业界急于解决的课题。

实用新型内容

本实用新型主要目的是提供一种复合式的晶片研磨抛光盘同心构造，主要是由金属基材与树脂铜等两种不同材料以特殊分布方式构成一研磨抛光层，其中金属基材负责传导研磨过程中所产生的热，并透过设备进行冷却降温，而树脂铜则肩负起高移除率的研磨切削作业，藉此提供一种研磨抛光盘不会因散热不佳、发生尺寸变形的状况。

本实用新型次要目的是提供一种用于大尺寸晶片研磨的研磨抛光盘构造，被研磨晶片尺寸可达12吋以上，符合现今晶圆尺寸愈来愈大的趋势。

为达上述目的，本实用新型的晶片研磨抛光盘同心构造，该研磨抛光盘依轴向区分为盘体与研磨抛光层，该研磨抛光层沿径向能区分出第一研磨抛光材及第二研磨抛光材，该第一研磨抛光材是由该盘体所延伸且为金属基材，该第二研磨抛光材呈数环状且同中心分布于该研磨抛光层径向断面且为树脂铜。

其中，该第二研磨抛光材采用一同中心的数圆环分布方式分布于该研磨抛光层径向断面。

其中，该第一研磨抛光材与盘体为铝材、锡材或铜材中至少一种。

其中，该研磨抛光盘的径向端面形成数个同中心的容置槽，每一个该容置槽呈环状分布，该第二研磨抛光材则填满该容置槽。

本实用新型的构造中，第一研磨抛光材与盘体为金属基材且一体构成，第二研磨抛光材则由该树脂铜所构成，且为同中心数环状分布于该研磨抛光层的径向断面，藉此在进行研磨抛光加工时，利用金属基材直接将加工产生的热量透过设备的冷却回路进行热交换，达到控制盘面温度的目的；同时，该树脂铜可以维持高移除率加工的表现，如此一来，若晶片尺寸与研磨抛光盘大小改变，将不发生散热不佳、尺寸变形等状况。

以下配合图式及组件符号对本实用新型的实施方式做更详细的说明，以使熟习该项技艺者在研读本说明书后能据以实施。

附图说明

图1为本实用新型的立体图；

图2为本实用新型的俯视图；

图3为本实用新型研磨抛光盘径向局部剖面放大示意图；

图4为本实用新型研磨抛光盘初步加工后的立体图。

附图标记说明

研磨抛光盘     1

安装孔         10

盘体           11

研磨抛光层     12

第一研磨抛光材 121

第二研磨抛光材 122

容置槽         13

具体实施方式

如图1、2及3所示，分别为本实用新型的立体图、俯视图及径向局部剖面放大示意图。本实用新型中研磨抛光盘1中间区域具有一安装孔10，以供安装于机台。该研磨抛光盘1依轴向区分为盘体11与研磨抛光层12。该盘体11厚度较该研磨抛光层12厚，为金属基材，该金属基材可为铝材、锡材或铜材等其中至少一种。该研磨抛光层12为进行研磨抛光加工的接触层，沿径向能区分出第一研磨抛光材121及第二研磨抛光材122。该第一研磨抛光材121由该盘体11依轴向所延伸，故材料也为金属基材。该第二研磨抛光材122呈数环状且同中心分布于该研磨抛光层12的径向断面，且材质为树脂铜。