[实用新型]一种用于腔室门的密封装置有效
申请号: | 201520146782.X | 申请日: | 2015-03-16 |
公开(公告)号: | CN204481006U | 公开(公告)日: | 2015-07-15 |
发明(设计)人: | 李广义 | 申请(专利权)人: | 北京七星华创电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 陶金龙;张磊 |
地址: | 100016 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 腔室门 密封 装置 | ||
1.一种用于腔室门的密封装置,其特征在于,包括:
腔室隔板,设于腔室与机械手运动区域之间,用于将腔室与其他区域相隔离;所述腔室隔板设有门孔,用于机械手向腔室传取晶片;所述腔室隔板外侧平行活动设有与所述门孔相配合的腔室门,用于受驱动沿直线平移至所述门孔对应位置或反向移开;
第一磁铁、第二磁铁和第三磁铁,所述第一磁铁设于所述腔室隔板外侧,并包围所述门孔;所述第二磁铁设于所述腔室隔板外侧,并位于所述第一磁铁以外的所述腔室门的移动区域;所述第三磁铁水平滑动设于所述腔室门的内侧;
其中,当所述腔室门移至所述门孔对应位置时,通过在所述第三磁铁与所述第一磁铁之间产生相反极性相吸,使所述第三磁铁通过水平滑动与所述第一磁铁吸合,将所述门孔密封;通过在所述第三磁铁与所述第一、第二磁铁之间产生相同极性相斥,使所述第三磁铁通过水平滑动与所述第一磁铁分离,将所述门孔打开,并与所述第二磁铁保持间隙,以跟随所述腔室门移动。
2.根据权利要求1所述的密封装置,其特征在于,所述门孔的两侧设有一副导轨,所述导轨设有滑块,所述滑块连接所述腔室门的两侧,所述腔室门受驱动沿所述导轨向所述门孔平移或移开。
3.根据权利要求2所述的密封装置,其特征在于,所述导轨设于所述门孔的左右或上下两侧。
4.根据权利要求1所述的密封装置,其特征在于,所述腔室门与所述第三磁铁之间通过相配合的导向柱和导槽形成水平滑动连接。
5.根据权利要求4所述的密封装置,其特征在于,所述腔室门内侧设有水平柱形导向柱,所述第三磁铁相对侧设有与所述导向柱相配合的导槽。
6.根据权利要求4或5所述的密封装置,其特征在于,所述导向柱位于所述腔室门的内侧中心。
7.根据权利要求1、2、4或5所述的密封装置,其特征在于,所述腔室门连接驱动机构。
8.根据权利要求7所述的密封装置,其特征在于,所述驱动机构为气缸或连杆。
9.根据权利要求1所述的密封装置,其特征在于,所述第一磁铁和第三磁铁其中之一为电磁铁。
10.根据权利要求1所述的密封装置,其特征在于,所述第一磁铁和第三磁铁至少有一个为电磁铁。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京七星华创电子股份有限公司,未经北京七星华创电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520146782.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:卷式引线框架
- 下一篇:一种云计算系统可用性评估方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造