[实用新型]输运性质测量系统有效
申请号: | 201520219327.8 | 申请日: | 2015-04-13 |
公开(公告)号: | CN204719148U | 公开(公告)日: | 2015-10-21 |
发明(设计)人: | 胡小鹏;薛其坤;陈曦;赵大鹏;郑澄;唐林 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G01R31/00 | 分类号: | G01R31/00;G01R1/073 |
代理公司: | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人: | 哈达 |
地址: | 100084 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 输运 性质 测量 系统 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种输运性质测量系统。
背景技术
低维量子物质是物理学研究内容最丰富的领域之一。半导体异质结界面的二维电子气、石墨烯、铜基和铁基超导体、拓扑绝缘体、氧化物界面以及过渡金属硫族化合物层状材料等等都属于这类体系。这些体系展现了自然界中一些最神奇的量子态,涉及凝聚态物理主要的重大科学问题,是揭示低维物理最具挑战的强电子关联问题的关键体系,它们很有可能还是导致未来信息、清洁能源、电力和精密测量等技术重大革新甚至是革命的一类体系,是目前全世界的研究重点。
对于这类体系的研究,不但需要精密的实验手段,更加重要的是,由于它们均可以从物理上提炼简化为厚度为一到几个原子层/单位原胞的准二维体系,一般情况下无法在空气环境下直接进行研究,需要将真空环境内生长的低维材料拿出真空系统,再放入测量系统上进行测量。现有技术的测量系统只能在可视状态下,将探针与低维材料电接触,以对该低维材料进行输运性质的测量,限制了该测量系统的应用范围。
实用新型内容
有鉴于此,确有必要提供一种非可视状态下能使探针阵列与低维材料结构电接触以测量低维材料结构输运性质的输运性质测量系统。
一种输运性质测量系统,包括一测量头和一测量腔,所述测量头包括一样品台、一探针台和一第一电极盘,所述探针台位于所述样品台与第一电极盘之间,所述测量腔内具有一第二电极盘,所述第一电极盘和第二电极盘具有一一对应的电极。
与现有技术相比,本实用新型提供的输运性质测量系统中,测量头中的 第一电极盘和测量腔中的第二电极盘具有一一对应的电极,且探针台可以在空间内移动以便探针台中的探针阵列与样品台中的电极接触。因此,可以先使探针阵列与电极对准接触后,然后使探针阵列略微移开电极,再将电极和探针阵列整体传送至所述测量腔中,最后使所述探针阵列接触所述电极进行输运性质测量,从而可以在非可视状态下,使探针阵列与低维材料结构电接触,测量该低维材料结构的输运性质,进一步扩大了输运性质测量系统的应用范围。
附图说明
图1为原位输运性质测量装置的立体结构的结构示意图。
图2为低维材料制备系统的剖面结构示意图。
图3为低维材料处理系统的立体结构的结构示意图。
图4为低维材料处理系统中电极蒸镀腔内部的立体结构分解图。
图5为低维材料处理系统中刻划处理腔内部及显微镜的立体结构示意图。
图6为输运性质测量系统的立体结构分解示意图。
图7为输运性质测量系统中探针台的剖面结构示意图。
图8为低维材料原位输运性质测量方法的流程图。
主要元件符号说明
原位输运性质测量装置 10
第一连接管 20
第二连接管 22
第三连接管 24
低维材料制备系统 12
反应腔 120
基底 122
低维材料结构 124
蒸发源 126
真空泵 128
真空规 130
快速进样腔 132
磁力杆 134
样品托 136
悬臂杆 138
低维材料表征系统 14
低维材料处理系统 16
电极蒸发源 160
电极蒸镀单元 162
底法兰 1620
支撑杆 1622
支撑台 1624
第一限位框 1626
第一开口 16260
斜面 16262
第一壁 16264
第二限位框 1628
第二开口 16282
第一样品托插座 1630
凸棒 1632
磁力棒 1634
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学,未经清华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520219327.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。