[实用新型]铜铟镓硒太阳能电池P-N结形成装置有效
| 申请号： | 201520261541.X | 申请日： | 2015-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN204614804U | 公开（公告）日： | 2015-09-02 |
| 发明（设计）人： | 龚立光;钱青;骆焕 | 申请（专利权）人： | 上海盛锋新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 夏海天 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铜铟镓硒 太阳能电池 形成 装置 | ||
1.铜铟镓硒太阳能电池P-N结形成装置，硫化隔膜层沉积装置依次安装的进片腔、高温硒化/硫化腔、硒化/硫化冷却腔、镀膜缓冲腔、电池基片镀膜腔、缓冲出片腔、出片腔内部均设置有带动电池基片移动的滚轮，其特征在于：完成硒化工艺或硒化/硫化工艺后的电池基片在经过镀膜缓冲腔而不暴露在大气中而直接衔接电池基片镀膜腔；电池基片镀膜腔采用磁控溅射沉积硫化镉膜层。
2.根据权利要求1所述的铜铟镓硒太阳能电池P-N结形成装置，其特征在于：所述的溅射电源采用中频交流电源与平面孪生阴极。
3.根据权利要求1所述的铜铟镓硒太阳能电池P-N结形成装置，其特征在于：所述的溅射电源采用射频电源，射频电源衔接有射频阻抗调节盒，阴极采用平面阴极。
4.根据权利要求1所述的铜铟镓硒太阳能电池P-N结形成装置，其特征在于：所述的溅射电源采用直流脉冲电源，阴极采用平面阴极。
5.根据权利要求1所述的铜铟镓硒太阳能电池P-N结形成装置，其特征在于：所述的进片腔、高温硒化/硫化腔、硒化/硫化冷却腔、镀膜缓冲腔、电池基片镀膜腔、缓冲出片腔、出片腔上面均设置有隔离阀门，镀膜缓冲腔、电池基片镀膜腔、缓冲出片腔的上方均安装有真空泵，镀膜缓冲腔、电池基片镀膜腔、缓冲出片腔均属于真空腔体。
6.根据权利要求1所述的铜铟镓硒太阳能电池P-N结形成装置，其特征在于：所述的电池基片在硫化隔膜层沉积装置内水平放置。
7.根据权利要求1所述的铜铟镓硒太阳能电池P-N结形成装置，其特征在于：所述的电池基片在硫化隔膜层沉积装置内垂直放置。
8.根据权利要求1所述的铜铟镓硒太阳能电池P-N结形成装置，其特征在于：所述的电池基片在硫化隔膜层积装置内与垂直面倾斜放置，倾斜夹角为5度-10度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
