[实用新型]一种微型SD卡的封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种SD卡,尤其涉及一种微型SD卡的封装结构。

背景技术

SD卡作为一种基于半导体快闪记忆器的新一代记忆设备，它被广泛应用于便携式装置上，随着电子器件集成化程度不断加深且电子产品趋于小型化发展，这也意味着存储器件的小型化是发展趋势，这不仅要求单个产品的小型化也对电子器件的封装技术提出了更高的要求。

发明内容

本实用新型提供一种微型SD卡的封装结构，利用NandFlash作为存储介质，对传统的SD卡封装进行空间压缩，满足了单元尺寸小，成本低，功耗低，容量大的需求。

本实用新型是这样实现的：一种微型SD卡的封装结构，主要包括一基板，存储芯片，控制芯片，多根导线和塑胶体。所述基板，中间设置有裸露的金属散热盘，两边各设置四个电位引脚；所述存储芯片置于基板散热盘上；所述控制芯片堆叠在存储芯片上；所述导线电性连接于基板和存储芯片之间，存储芯片和控制芯片之间，控制芯片和基板之间；所述基板连同存储芯片，控制芯片和导线被环氧树脂包裹，形成塑胶体；

所述基板为QFN导线框架和Substrate印刷电路板；

所述存储芯片为Nandflashmemory；

所述基板一边上金属焊盘SDD2、SDD3、CLK、VSS与存储芯片上对应的Nb…..通过导线电连接，存储芯片上与基板另一边上金属焊盘CMD、SDD0、SDD1、VCC对应的脚位先与控制芯片上的焊盘通过导线电连接，控制芯片再通过导线与基板上的金属焊盘CMD、SDD0、SDD1、VCC电连接；

所述基板与存储芯片之间，存储芯片与控制芯片之间，控制芯片与基板之间的电性连接均为直线连接，导线不相交；

所述SD卡为微型体积，本体的长、宽、厚度分别为8~20mm、7~20mm、0.8~1mm。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明，附图中：

图1是本实用新型封装结构示意图；

图2是本实用新型封装俯视图；

图3是本实用新型存储卡脚位连接定义图。

具体实施方式

下面结合附图所示之优选实施例作进一步详述。

本实用新型提供一种微型SD卡的封装结构，主要包括一基板1，存储芯片2，控制芯片3，多根导线4和塑胶体5。如图2，所述基板1，中间设置有裸露的金属散热盘6，两边各设置四个电位引脚7（SSD2、SDD3、CLK、VSS、CMD、SDD0、SDD1、VCC）；所述存储芯片2置于基板1散热盘6上；所述控制芯片3堆叠在存储芯片2上；如图3，所述导线4电性连接于基板1和存储芯片2之间，存储芯片2和控制芯片3之间，控制芯片3和基板1之间；如图1，所述基板1连同存储芯片2，控制芯片3和导线4被环氧树脂包裹，形成塑胶体5；

所述基板1为QFN导线框架和Substrate印刷电路板；

所述存储芯片2为Nandflashmemory；

所述基板1一边上金属焊盘SDD2、SDD3、CLK、VSS与存储芯片2上对应的Nb…..通过导线4电连接，存储芯片2上与基板1另一边上金属焊盘CMD、SDD0、SDD1、VCC对应的脚位先与控制芯片3上的焊盘通过导线4电连接，控制芯片3再通过导线4与基板1上的金属焊盘CMD、SDD0、SDD1、VCC电连接；

所述基板1与存储芯片2之间，存储芯片2与控制芯片3之间，控制芯片3与基板1之间的电性连接均为直线连接，导线4不相交；

所述SD卡为微型体积，本体的长、宽、厚度分别为8~20mm、7~20mm、0.8~1mm。

上述实现过程为本实用新型的优先实现过程，本领域的技术人员在本实用型的基础上进行的通常变化和替换包含在本实用新型的保护范围之内。